| K波段跨导增强双路噪声抵消低噪声放大器 | |
| 所屬分類(lèi)：技术论文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大?。?span>4270 K | |
| 標(biāo)簽： 噪声抵消 低噪声放大器 跨导增强 | |
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| 文檔介紹：为满足通信系统发展对高性能硅基低噪声放大器的需要，提出了一种跨导增强双路噪声抵消电路拓扑，能对晶体管噪声进行抵消，以实现良好的噪声性能。共栅路径中引入的跨导增强结构进一步改善了增益与噪声性能。基于以上拓扑设计了一款K波段低噪声放大器，由共栅与共源两条路径组成，两者互为反馈支路，通过两路合成实现双路的噪声抵消。电路采用90 nm CMOS SOI工艺设计，芯片核心尺寸为500 μm×280 μm。仿真结果表明，在17~22 GHz频带内实现了1.61~1.87 dB的噪声系数和15.8 dB的峰值增益，1 dB压缩点输入功率为-4.3 dBm，体现了较好的噪声性能与线性增益。 | |
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