| 基于CMOS阈值电压设计的电压基准源 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：3857 K | |
| 標簽： 电压基准 阈值电压 温度系数 | |
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| 文檔介紹：基于TSMC 0.18 µm标准CMOS工艺，提出了一种新型无电阻低温漂电压基准源。通过采用CMOS阈值电压（Vth）和与温度成正比的电压（VPTAT）作为基础线性温度单元加权求和的方式，消除了电压基准源输出中残留的非线性温度分量，最终得到高精度的电压基准输出。其中CMOS阈值电压由无电阻结构产生，VPTAT的产生和与CMOS阈值电压的加权求和由非对称差分运放完成。实测结果证明，在-55 ℃~125 ℃温度范围内，电压基准源输出为1.23 V，温度系数为4.5 ppm/℃。在无滤波电容的情况下，基准电源抑制比可达-93 dB。 | |
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