| 1.65~3 GHz 500 W功率放大器设计与实现 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：688 K | |
| 標簽： GaN功率管 高功率 高效率 | |
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| 文檔介紹：现代发射系统对功率放大器的工作频带和功率等级提出了越来越高的要求，而基于新型GaN功率器件的功放设计可以满足这些新的需求。采用GaN HEMT进行基本功放单元设计，并创新性地采用非对称结构的5路径向功率合成器实现整机所需功率同时提高整机效率。该功率放大器工作频率为1.65~3 GHz，实测输出功率大于500 W(CW)，电源转换效率大于25%，较同类产品在效率体积等指标上有较大提升。该产品适用于高功率系统应用，如EMC测试、电子对抗等。 | |
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