| 基于GaN的输入谐波控制射频功率放大器设计 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：835 K | |
| 標(biāo)簽： 功率放大器 输入谐波控制 高效率 | |
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| 文檔介紹：定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响。同时，选用了南京电子器件研究所的0.25 ?滋m GaN HEMT器件，并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真。根据仿真结果发现，通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率，在频带内能获得3～10%的效率提升。以此设计了一款X波段单级MMIC功放。经测试，该功放芯片在9.2～11.3 GHz范围内功率附加效率最大可以达到 52.88%。 | |
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