| 用于甚低频无线通信的一种低噪声放大器设计 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：672 K | |
| 標簽： 甚低频 低噪声放大器 高电源抑制比 | |
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| 文檔介紹：介绍了一种用于甚低频无线通信中的低噪声放大器的设计。提出了一个由低通跨导与自共源共栅MOSFET形成的新环路，用于稳定放大器的输出偏置电压。该环路配合恒定跨导偏置电路，可使放大器的开环增益保持在40 dB左右，不会受到工艺偏差、电源电压波动和工作温度变化的影响。该放大器中自共源共栅MOSFET作为增益单元，配合全差分电流偏置电路，输出范围可达到轨到轨。此放大器具有高达101.4 dB的带内电源抑制比。当可穿戴设备采用高阻抗电源供电时，电源纹波对输出信号几乎无影响。 | |
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