頭條 钠离子电池即将迈入大规模生产阶段 当前，锂离子电池为80亿部手机、数亿台笔记本电脑，以及蓬勃发展的电动汽车和储能设施注入不竭动力。然而，它正迎来一位强大的挑战者——钠离子电池。钠离子电池已快步迈入大规模生产阶段，有望应用于电动汽车和储能等领域，它比锂离子电池更便宜、更安全、更环保。今年4月，全球最大的电池制造商——中国宁德时代新能源科技股份有限公司（以下简称“宁德时代”）宣布，将在今年底前启动钠离子电池的大规模量产。 最新資訊 TI通过用于UPS的2kW双向电源参考设计实现更高效的能源存储 2017年6月12日，北京讯—德州仪器（TI）近日推出了业界首款用于48V至400V不间断电源（UPS）和能量存储系统的2千瓦（kW）隔离双向DC / DC转换器参考设计。该设计采用创新的TI模拟和嵌入式技术，设计人员可利用这一参考设计，在下一代UPS、能量存储、移动电源和电池充电器应用中实现93％以上的效率。马上下载新参考设计吧！ 發表于：2017/6/13 2.7V 至 38V/500mA 低噪声降压-升压型 充电泵 加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 6 月 12 日 – 亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出紧凑型、低噪声降压-升压型充电泵 LTC3246，该器件具集成的看门狗定时器，能提供高达 500mA 的输出电流。 發表于：2017/6/13 2017成都电源技术研讨会邀请您来参加！ “2017成都电源集成技术和高功率密度设计研讨会”即将在7月13日下午在成都世纪城新国际会展中心召开。我们秉着为广大电源工程师服务为愿景，联合知名外企原厂，聚焦时下行业热点话题，打造专业的电源方向沟通和学习平台，共创行业发展的未来！ 發表于：2017/6/12 基于ESP8266的充电桩数据采集器设计 充电桩通常采用工业总线与后台通信。针对工业总线布网复杂、扩展性差、易受干扰等缺点，通过无线模块设计了一个充电桩数据采集器，以ESP8266作为核心通信模块，将充电桩的数据进行采集并上传到上位机。首先介绍了ESP8266硬件电路及其开发环境。接着根据采集数据的不同，提出了一种更高效率的采集方案。最后经过实际应用验证了该采集器的可行性。所设计的采集器具有一定的通用性，通过简单修改配置，可以将此采集器应用于不同设备的数据采集。 發表于：2017/6/9 大联大诠鼎集团推出基于Richtek技术的无线充电解决方案 2017年6月6日，致力于亚太地区市场的领先电子元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于立锜（Richtek）技术的无线充电解决方案。 發表于：2017/6/8 开关柜局部放电检测仪器的设计 根据国家电网公司颁布的以地电波检测作为开关柜带电检测手段的相关规定，提出了一种基于ARM9平台的便携式开关柜局部放电检测仪。该仪器采用峰值检测电路对局部放电信号进行特征参数提取，避免了传统上采用 A/D 采样后产生的庞大数据量，方便手持系统更好地对这些数据进行实时处理。 發表于：2017/6/8 便携式系统PDS分析与设计 研究了模拟、数字和射频混合电路便携式设备中PCB板电源传输系统（PDS）的设计方法，以及由电源传输系统引起的信号完整性问题。对PDS去耦网络中电容容量和数量做了定量和定性分析及研究，从电容提供电流速度这一角度给出了电容在PCB设计中布局的方法，以及电源传输系统引起的信号完整性问题的解决方法。该方法是经过大量智能便携式产品设计和测试总结与归纳后得出的，解决了设计和测试过程中出现的很多问题，也为新产品的开发在电源设计方面提供了新思路。 發表于：2017/6/8 Diodes 公司推出电源切换器 【2017 年 5 月 30 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司推出的 DPS1133 单通道电源切换器是全球第一款高电压电源切换器，专为满足 USB Type-C? 端口的所有严苛保护及快速用途切换需求所设计。此产品适用于各式各样的移动和桌上型运算装置与周边装置，还有消费型电子、移动通讯、工业及医疗市场等各种应用，如智能型手机、AR/VR 眼镜、机器人、车用信息娱乐及家电等。 發表于：2017/6/7 一种加Nuttall窗三谱线插值FFT谐波检测算法 为获取电网中的谐波量的精准估测，给出采用Nuttall窗体模式的FFT方法。为获取波形的突变部分，采用小波变化检测数据的暂态状况。为判断方法的性能，选取MATLAB进行仿真实验，结果表明检测所得的幅值和相位结果较为精确，并且得到拟合层级仅作用于基波检测结果。 發表于：2017/6/7 0.13 μm CMOS电流模式高精度基准源设计 为提升基准源的精度，降低功耗，设计了一种新型带曲率补偿的低功耗带隙基准电路。该电路根据MOS管亚阈值区固有指数关系去补偿PNP型晶体管发射结电压的高阶温度特性，在只增加两股镜像电流下，该带隙基准电路与传统一阶低压带隙基准电路相比，具有低功耗和更低的温漂系数。基于中芯国际130 nm COMS工艺，仿真表明，温度在-20 ℃～80 ℃范围内，温漂为4.6 ppm/℃，电源抑制比为60 dB，输出基准电压为610 mV，整体电路功耗为820 nW。 發表于：2017/6/6 <…601602603604605606607608609610…>
