壓控振蕩電路如圖所示。555、R1、R2、C1～C3及VT1組成一個壓控多諧振蕩器，場效 應(yīng)管(JFET)VT，作為壓控電阻，通過改變其門一源電壓VGs可改變VT-的漏(D)、源(S)間的阻抗。接在VT。的D、S的耦合電容C1、C2，用于防止其余電路的直流電壓對JFET的影響。為不使耦合電容影響時基電路的充、放電時間，C1、C2的大小宜選為定時電容C3容值的10倍。該電路的優(yōu)點(diǎn)在于：通過場效應(yīng)管門一源問電壓VGs的變化，使VT1形成一個可調(diào)范圍很大的可變電阻Rx(可大至幾百kΩ)，從而獲得極大的占空比和周期的變化。
壓控振蕩電路如圖所示。555、R1、R2、C1～C3及VT1組成一個壓控多諧振蕩器，場效 應(yīng)管(JFET)VT，作為壓控電阻，通過改變其門一源電壓VGs可改變VT-的漏(D)、源(S)間的阻抗。接在VT。的D、S的耦合電容C1、C2，用于防止其余電路的直流電壓對JFET的影響。為不使耦合電容影響時基電路的充、放電時間，C1、C2的大小宜選為定時電容C3容值的10倍。該電路的優(yōu)點(diǎn)在于：通過場效應(yīng)管門一源問電壓VGs的變化，使VT1形成一個可調(diào)范圍很大的可變電阻Rx(可大至幾百kΩ)，從而獲得極大的占空比和周期的變化。
