汽車電子最新文章 商务部将电池正极原材料制备技术列入出口管制 7月15日，中国商务部会同科技部调整发布《中国禁止出口限制出口技术目录》（商务部 科技部公告2025年28号，以下简称《目录》）。 發表于：2025/7/16 意法半导体扩展ISO 26262标准车规负载驱动器产品系列 2025 年 7 月 7 日，中国——意法半导体的 L9800 车规 8 通道低边驱动器符合ISO 26262汽车功能安全标准，采用了紧凑的无引线封装 發表于：2025/7/16 我国升级技术出口限制阻止欧盟强迫中国新能源企业转让技术 7月16日消息，之前环保倡导组织“交通与环境”(T&E)的一项研究显示，除非欧洲制定法规要求中国电池制造商拿技术和技能转让换取国家援助，否则欧洲恐沦为中国电池制造商的“组装厂”。 發表于：2025/7/16 一汽奥迪高管内涵车企用消费级芯片 7月14日消息，消费级芯片到底该不该用在车上，这个话题又一次引起了网友的热议。 近日，一汽奥迪销售有限责任公司执行副总经理李凤刚发视频称，有的车企认为消费级的芯片算力更强，安全也有保障。 發表于：2025/7/15 一汽奥迪公开反对汽车消费级芯片 7月13日消息，近日，有关车规级芯片和消费级芯片的话题引发争议。一汽奥迪销售有限责任公司执行副总经理李凤刚发视频称，消费级和车规级芯片差别很大，汽车不是快消品，奥迪绝不会拿用户练手。 發表于：2025/7/14 ICDIA 2025 创芯展圆满落幕！ 7月11日-12日，由中国集成电路设计创新联盟、国家“芯火”双创基地（平台）联合主办的第五届中国集成电路设计创新大会暨IC应用生态展（ICDIA 2025）在苏州成功召开 發表于：2025/7/14 意法半导体推出面向智能驾驶舱的高频数字车规音频功放 2025 年 6 月 24日，中国——意法半导体推出车规 D类音频功放，面向智能座舱应用，器件整体尺寸很小，配备数字输入接口，可简化电路设计。 發表于：2025/7/9 四大核心要素驱动汽车智能化创新与相关芯片竞争格局 传统汽车计算架构中，往往采用CPU与GPU或/和NPU等计算单元组成异构计算模式；随着自动驾驶算法从L1向L5快速演进对软件适配性的要求越来越高，以及不断有新的传感器和信息娱乐设备加入车内，不同的架构开始出现不同的发展轨迹。同时，系统复杂性快速提升、大量的数据搬运、资源调度协同难度提升和软件快速迭代等新挑战开始出现，使缺乏灵活性的硬件架构成为了在技术、安全和成本等多个方面制约汽车智能化发展的瓶颈。 發表于：2025/7/8 强茂推出业界领先的超低VF整流桥系列 PANJIT推出具备175°C (TJ)高结温温度能力的HULV超低VF桥式整流器系列，持续引领高效能功率整流技术。此系列在800V反向耐压条件下，展现业界最佳的热稳定性与导通效率，广泛应用于AI服务器、电信设备、游戏平台以及80+白金/钛金级PC电源等高功率密度系统。HULV系列采用先进的平面EPI芯片接面制程技术，并导入聚酰亚胺（polyimide）保护层设计，有效强化产品在严苛热环境下的稳定性与可靠性。 發表于：2025/7/8 Qt以23亿美元价格收购IAR 瑞典软件工具开发商 IAR 已接受汽车软件公司 Qt 集团对该公司的 $230m 出价。这笔现金交易为 180 瑞典克朗，比当前股价溢价 66%。得到了主要机构投资者的支持，持有 38% 的股份。 發表于：2025/7/8 英飞凌将CAPSENSE™集成至PSOC™ HV微控制器 2025年7月7日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）最新推出了PSOCTM 4 HVMS产品系列，扩展其PSOC™ 4 HV微控制器（MCU）平台。 發表于：2025/7/8 我国牵头制定的首个网联车辆电磁辐射抗干扰ISO国际标准发布 7 月 3 日消息，据央视新闻今日报道，由我国牵头制定的《道路车辆 窄带辐射电磁能的抗扰性 V2X 辐射抗扰度》国际标准近日正式发布，来自韩国、法国等国家的专家共同参与了该项标准的研究制定工作。 發表于：2025/7/4 特斯拉电池寿命数据公布：约32万公里后容量降至80% 7 月 2 日消息，特斯拉公布了一系列关于其电动汽车电池寿命的最新统计数据。 数据显示，在特斯拉大规模销售电动汽车的大约十年时间里，特斯拉电动汽车的电池在平均行驶里程达到 20 万英里（IT之家注：约 32.19 万公里）时，其容量会降至原始容量的 80%，无论电池化学成分如何。 發表于：2025/7/3 英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 【2025年7月1日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。 發表于：2025/7/2 蔚来宣布自研的全球首颗5nm智驾芯片达到设计目标 7月1日消息，今天蔚来创始人、董事长、CEO 李斌发文称，在刚刚过去的周末，蔚来世界模型NWM开始陆续推送到ET9、新ES6、新EC6、新ET5和新ET5T上。 这标志着蔚来自研的全球首颗车规级5纳米智驾芯片神玑NX9031的应用性能达到设计目标，充分证明了蔚来芯片团队优秀的芯片设计能力和软硬件工程能力。 發表于：2025/7/2 <…27282930313233343536…>
