短路保护电路基于高压MOS/IGBT模块的设计
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摘要： 带短路保护锁定的驱动的3脚为短路信号检测入端;2脚为驱动地;1脚为驱动输出。当电路存在短路的时候流过MOS的电流很大在S极电阻两端产生的压降导致三极管由截止进入导通(当然导到什么程度具体跟MOS的跨导有关系)，因此驱动电阻上面有压降，MOS进入放大区。这个时候高电压不会通过MOS进行强电流放电，因而芯片不会有局部过热的可能，在很短的时间内保护电路检测到短路存在关闭并锁定驱动电压输出，MOS仅承受了动作时间内的恒流功率损耗，安全性得到了很大提高。此电路仅作为理解原理使用具体参数看实际工况选取。S级的电阻是根据你选定的MOS的IDM(PulsedDrainC
Abstract：
Key words :
帶短路保護鎖定的驅動的3腳為短路信號檢測入端;2腳為驅動地;1腳為驅動輸出。
當電路存在短路的時候流過MOS的電流很大在S極電阻兩端產生的壓降導致三極管由截止進入導通(當然導到什么程度具體跟MOS的跨導有關系)，因此驅動電阻上面有壓降，MOS進入放大區。這個時候高電壓不會通過MOS進行強電流放電，因而芯片不會有局部過熱的可能，在很短的時間內保護電路檢測到短路存在關閉并鎖定驅動電壓輸出，MOS僅承受了動作時間內的恒流功率損耗，安全性得到了很大提高。
此電路僅作為理解原理使用具體參數看實際工況選取。
S級的電阻是根據你選定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)選定的,至于跨導這個不是主要因數;這里三極管并不工作在開關狀態他只是根據MOS的瞬態電流值調整MOS的驅動電壓,保證在短路出現的時候IDM不至于超出安全工作范圍,這個時候由于在1US甚至更短的時間內驅動已經被關斷并鎖定,所以不存在過功損耗.三極管的反映時間越快越好.其實這個電路是電流負反饋電路演變過來的.電路如下:
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