本次主要想探討阻性/感性/容性/電流型負載對驅動的要求，與大家分享，請網(wǎng)友看看有何不足，先看一個圖吧，F(xiàn)ET的等效模型是：

 用它做成的半橋；就成了這樣的一個電路：

 空載開關時；電路變成這兩個工作模式：

上圖是高邊開關；低扁關斷狀態(tài)。下圖是低邊開關；高邊關斷狀態(tài)。兩個狀態(tài)組成一完整開關周期。這個現(xiàn)象會導致半、全橋空載時發(fā)熱。它不僅發(fā)生在開路狀態(tài)；而且還會發(fā)生在容性負載和硬開關電路里。適當?shù)目刂?ldquo;開”的速度；防制上下之通是必要的。

高端FET開關狀態(tài)下；導通再關閉后，由于CDS1、CDS2的電容儲能，Q1關斷；輸出仍為+Vbus。此時；Q1柵電壓為0V，但是；Q1并沒因此而承受電壓。即Q1是零電壓關斷；關斷過程；柵電壓沒有平臺！沒有彌勒效應區(qū)！經(jīng)過一段死區(qū)時間后；低端FET導通，此時此刻；高端早已關斷的FET的D-S終于承受了電壓！雖然是空載；但在這過程中發(fā)生了一系列的電壓電流變化，看圖解！

高邊FET導通后；向Cds2充電/Cds1放電，輸出達到正電源電壓。FET關斷時；由于電容無放電回路（Q2斷），電容電壓保持不變，Q1零壓管斷（無彌勒效應）。Q1關后；仍由于電容做用而不承受電壓。

 用正驅動脈沖開啟Q2，當柵電壓達到門坎時；Q2開始通。Cds2短路放電；Cds1充電。顯然；Q2是硬開通。Q1此時開始實質(zhì)性承受電壓。由于Cdg1的充電；導致在Q1驅動柵電阻上產(chǎn)生電壓。當感應電壓達到門坎時；Q1/Q2瞬間發(fā)生上下直通。

半個周期描述結束，在此思考下半個周期的工作過程。

低端的管子是硬開通軟關斷；高端皆然。這里引用網(wǎng)友helen閘的實測波形，供大家討論。注意：“ON”是；有明顯的彌勒效應平臺，“OFF”時；沒有。