對于包含有大電容量的裝置而言，控制浪涌電流成為一大難題。最簡單的方法就是將浪涌限幅電阻器與電容器組串聯，但電阻器會浪費功率并增加壓降。圖1所示電路解決了這一難題并能提供其它優勢。在啟動時，雙極型 PNP晶體管Q₂使N溝道功率MOSFET晶體管Q₁保持關斷，直到電容器C_l兩端的電壓高到足以關斷Q₂的電平為止。在此時間間隔內，電阻器R₁為C₁及電路其它元件提供啟動電流。當Q₂關斷時，Q₁導通并在 R₁兩端提供一條低阻通道。當關閉外部電源時，電路隨C₁放電而復位。
　　作為額外好處，該電路還可提供

短路負載保護。隨著通過Q₁的電流增大，Q₁兩端的壓降也由于Q₁內部導通電阻而增大。當Q₁兩端的電壓降至約 0.6V（Q2的 VBE(ON)電壓）時，Q₂導通且Q₁關斷，并迫使負載電流通過R₁。消除短路恢復正常工作，并使Q₂關斷及Q₁導通。請注意：由于Q₁導通電阻充當該功能的檢流電阻器，故短路消除點可隨環境溫度及Q₁的特性而變化。您可以通過選擇R₁與Q₁的導通電阻特性來調整Q₁的導通和關斷閥值。增加一個與Q₂ 發射極相串聯的普通二極管或齊納二極管，就可增加短路脫扣電流。

　　用于構建此電路的元器件及其參數值取決于具體應用。根據設計要求，您可能需要為R₁選擇一個大功率電阻器，或給 Q₁增加一片散熱片。但對于許多應用，該電路比其它常規方法更節省功率。