7月2日消息，全球頂尖半導體研究機構比利時微電子研究中心（imec）近日發布2026年制程技術路線圖，預測2038年有望實現0.3納米制程工藝，并指出互補式場效應晶體管（CFET）架構是突破下一代先進制程的核心技術。
這份imec技術路線圖由臺積電、英特爾、英偉達、AMD、三星、ASML等行業巨頭共同參與編制，清晰展示了未來芯片制造面臨的技術挑戰與發展規劃，業內分析認為，imec最新制程路線圖的發布，印證摩爾定律仍將持續演進。
在技術細節方面，CFET晶體管通過將N型和P型晶體管垂直堆疊，而非傳統的平面并排布局，能夠顯著提升晶體管密度、降低功耗并改善性能，這一技術被認為是延續摩爾定律、突破2納米以下制程瓶頸的關鍵路徑。
臺積電作為全球最大晶圓代工廠，已提前布局CFET晶體管技術研究，持續保持行業技術領先優勢，根據臺積電此前公布的規劃，公司計劃在2028年至2030年間量產采用CFET技術的先進制程芯片。
值得一提的是，0.3納米制程已接近原子尺度（硅原子直徑約0.2納米），實現這一目標需要在材料科學、制造設備、架構設計等多個領域取得革命性突破。
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