4 月 27 日消息，根據(jù)韓媒 ETNEWS 當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日?qǐng)?bào)道，韓國(guó)政府計(jì)劃斥資 5000 億韓元（注：現(xiàn)匯率約合 23.09 億元人民幣）支持本國(guó)化合物功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，改變當(dāng)前 90~95% 功率半導(dǎo)體需求依賴進(jìn)口的局面。
根據(jù)韓國(guó)政府規(guī)劃的路線圖，該國(guó)將在今年啟動(dòng) 8 英寸 (200mm) 化合物功率半導(dǎo)體晶圓廠基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)，2027 年開始量產(chǎn) 1200V SiC MOSFET 等關(guān)鍵功率器件，目標(biāo)到 2030 年將功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)與產(chǎn)能自給率提升 1 倍。
報(bào)道指出，此次政府牽頭的發(fā)展戰(zhàn)略有望吸引 2500 億韓元的私人配套資金。該計(jì)劃將由需求企業(yè)牽頭，組成需求方、Fabless 設(shè)計(jì)企業(yè)、晶圓代工企業(yè)聯(lián)盟，保障開發(fā)成果能順利投入實(shí)際應(yīng)用。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請(qǐng)及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。