憶阻器最早由阻變存儲器，即RRAM實驗驗證，因此經常以RRAM作為憶阻器的代表。
當然，嚴格來說，根據材料和物理機制，憶阻器件可分為阻變存儲器（Resistive Random-Access Memory, 簡稱RRAM或ReRAM)，相變存儲器（PCRAM），磁隨機存儲器（MRAM）和鐵電隨機存儲器（FeRAM）等不同種類。此外還有光電憶阻器、有機材料憶阻器、流體憶阻器等。
憶阻器件有兩個典型的阻值狀態,分別是高阻態(HRS)和低阻態(LRS),高阻態具有很高的阻值,通常為幾kΩ到幾MΩ,低阻態具有較低的阻值,通常為幾百Ω。初始情況下,即沒有經過任何電激勵操作時,憶阻器件呈高阻態,并且在電激勵下它的阻態會在兩個阻態之間進行切換。憶阻器從高阻到低阻狀態的轉變為置位(SET)過程,從低阻到高阻狀態的轉變為復位(RESET)過程。當SET過程和RESET過程所施加電壓極性相同時,稱之為單極性阻變行為,電壓極性不同時,稱之為雙極性阻變行為。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。