在半導體行業的激烈競爭中，英特爾和臺積電正展開一場激動人心的工藝之爭，吸引了業界的廣泛關注。兩家企業最新的 18A 工藝和 N2 工藝帶來了一場技術與創新的角逐。

● 英特爾首席執行官 Pat Gelsinger 相信將在未來幾年擊敗臺積電。在接受采訪時，強調了 18A 工藝（1.8 納米）與臺積電的 N2（2 納米）節點。18A 和 N2 都將利用 GAA 晶體管 ( RibbonFET ) ， 1.8 納米級節點將采用 BSPND，一種可優化功率和時鐘的背面功率傳輸技術。

● 當然臺積電相信其 N3P（3 納米級）技術將在功耗、性能和面積（PPA）等方面與英特爾的 18A 相媲美，而其 N2（2 納米級）將在所有方面超越之。

一）兩家的爭斗

英特爾的 20A（2 納米級）和 18A（1.8 納米級）制造技術即將比臺積電的相應制造工藝提前推出。

英特爾的 20A 制造技術計劃于 2024 年推出，將引入 RibbonFET 環繞柵極晶體管以及背面供電網絡（BSPDN）兩項創新技術，旨在實現更高的性能、更低的功耗和增加的晶體管密度。與此同時，英特爾的 18A 生產節點旨在進一步完善 20A 的創新，并在 2024 年底至 2025 年初提供進一步的 PPA 改進。

臺積電的 3 納米級 N3、N3E、N3P 和 N3X 制造工藝都依賴于成熟的 FinFET 晶體管和傳統的電源傳輸網絡。

臺積電似乎不急于推出其納米片 GAA 晶體管和 BSPDN，前者將由臺積電的 N2 節點引入，計劃在 2025 年下半年實現大規模生產，而后者將在 N2P 上加入，計劃在 2026 年底開始大規模生產。 臺積電在財報電話會議中表示：" 內部評估顯示，臺積電的 N3P 與 [ Intel ] 18A 相媲美，但上市時間更早，技術成熟度更高，成本也更低。不帶背面電源的 2 納米技術（N2）比 N3P 和 18A 都更先進，并將在 2025 年推出時成為半導體行業最先進的技術。"

英特爾未來幾年的主要目標之一是在技術領導力方面擊敗臺積電，并從需要領先工藝節點的公司中獲得晶圓代工訂單。英特爾計劃在未來五個季度推出三個先進的制造工藝，并在 2024 年下半年至 2025 年上半年開始 2 納米和 1.8 納米級制造技術的大規模生產。臺積電認為即使是將在 2025 年投入使用的 N3P 節點，在性能、功耗和成本等方面也能夠與英特爾的 18A 相媲美，而 N2 將在市場上投放一年后超越它。顯然臺積電對其即將推出的工藝節點非常自信。

二）背面供電網絡（BSPDN）

從表面上看，臺積電在工藝技術和代工設計方面一直領先，擁有強大的生態系統。英特爾憑借 18A 工藝取得的進展表明，半導體競技場上的競爭遠比外界所見更為激烈。背面供電技術是一項頗具潛力的創新，英特爾成為首家將其實踐應用的公司，通過將電力傳送到芯片背面而非正面，為熱管理和整體性能提供了優勢。有效的散熱和電力傳輸有助于優化芯片布局和設計，改進功能和熱量分布。這一創新的實施使英特爾再次站在半導體制造的最前沿，實現了戈登 · 摩爾的愿景。

臺積電和三星也將進入背面供電領域，但相較于英特爾，可能需要一兩年的時間。臺積電在這方面的優勢之一是與客戶的緊密合作，為其成功提供了強大支持。英特爾在內部生產 CPU 小芯片，同時將小芯片和 GPU 外包給臺積電（N5-N3）。英特爾是否能夠在內部生產 18A 及以下的所有小芯片，尤其是在與 AMD 和 Nvidia 等競爭對手的比較中。

工藝領先固然重要，但在代工行業，客戶支持同樣至關重要。如果英特爾能夠在合理時間內完成 BPD 版本，并吸引更多客戶，那么這可能成為其新的代工收入來源。然而，在與像臺積電這樣的業界巨頭競爭時，英特爾需要著眼于大量客戶芯片的生產，這將是其持續成功的關鍵。

小結：英特爾與臺積電的工藝之爭為半導體行業帶來了一場激動人心的競賽，我們將見證這場競爭的發展，看看誰能在技術創新和客戶支持方面取得更大的優勢。