12月15日消息，據報導，韓國本土的半導體和顯示材料開發商——石墨烯實驗室 (Graphene Lab) 開發出了基于石墨烯制造的EUV光罩保護膜 (Pellicle) ，有望顯著提高ASML的極紫外光 (EUV) 系統生產芯片的良率。
據了解，光罩保護膜是一種薄膜，可保護光罩表面免受空氣中微分子或污染物的影響，這對于 5nm或以下節點制程的先進制程技術的良率表現至關重要。
另外，光罩保護膜也是一種需要定期更換的消耗品，而由于EUV光刻設備的光源波長較短，因此護膜需要較薄厚度來增加透光率。
之前，硅已被用于制造光罩護膜，但石墨烯會是一種更好的材料，因為石墨烯制造的光罩保護膜比硅更薄、更透明。
報導還強調，EUV光罩護膜必須能夠承受曝光過程中發生的 800 度或更高的高溫，而基于石墨烯材料的光罩保護膜在高溫下的硬化特性要好，相比之下硅制產品非常容易破裂。
更多信息可以來這里獲取==>>電子技術應用-AET<<
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。