自2022年初俄烏沖突爆發(fā)之后，以蘋果、英特爾、AMD等為代表的西方科技巨頭紛紛暫停了自己在俄羅斯當(dāng)?shù)氐南嚓P(guān)業(yè)務(wù)，幾乎所有先進晶圓制造商都停止了與俄羅斯實體的合作，就連ARM也無法將他們的技術(shù)授權(quán)給俄羅斯的芯片設(shè)計師。
為了解決技術(shù)被“卡脖子”的問題，俄羅斯科學(xué)院下諾夫哥羅德應(yīng)用物理研究所（IPF RAS）正在緊鑼密鼓地研發(fā)俄羅斯首套半導(dǎo)體光刻設(shè)備，并對外宣稱“這套自行研發(fā)的光刻機將于2028年問世，不僅能夠生產(chǎn)出7nm芯片，還可以擊敗ASML同類產(chǎn)品”。
根據(jù)俄羅斯下諾夫哥羅德策略發(fā)展機構(gòu)的一份公文顯示，該計劃將在6年內(nèi)分為三個階段實現(xiàn)：
● 第一階段：首先要在2024年開發(fā)一臺alpha機器，驗證系統(tǒng)的全面可靠性。這一階段的重點不在于其工作或解決的高速性，而在于所有系統(tǒng)的全面性。
● 第二階段：到了2026年，將利用Beta版本取代alpha技術(shù)，屆時所有系統(tǒng)都將得到改進和優(yōu)化，同時分辨率也將得到提升，生產(chǎn)力也將隨之提高，許多操作都將實現(xiàn)機械自動化。這一階段的重點是，要將其集成到實際的技術(shù)流程中，并通過“拉起”適合其他生產(chǎn)階段的設(shè)備對其進行調(diào)試。
● 第三階段：到了2028年，將完成所有準備工作，并實現(xiàn)原型機生產(chǎn)，屆時將為光刻機帶來更強的光源、改進的定位和饋送系統(tǒng)，并使得這套光刻系統(tǒng)能夠快速準確地工作。
據(jù)21ic家了解，俄羅斯此前宣布過一項國家計劃，那就是希望通過“逆向工程”培養(yǎng)本土化半導(dǎo)體人才，力爭在2030年突破28nm芯片制造技術(shù)。
然而，要想實現(xiàn)這個目標并不容易，因為俄羅斯目前只能大量生產(chǎn)90nm芯片，小規(guī)模生產(chǎn)65nm芯片，暫時還無法做到更先進的工藝。所以，在芯片制造方面還不敢奢望更為先進的技術(shù)。
可是，IPF RAS卻認為這項計劃過于保守，并對外放出豪言“6年內(nèi)就能突破7nm技術(shù)節(jié)點”。
要知道，從28nm到7nm工藝，中間間隔著至少三代以上的差距，哪怕像荷蘭光刻機巨頭ASML和應(yīng)用材料等公司，按照正常情況下的發(fā)展，也要花費十年甚至幾十年的時間才能完成。
所以，該消息一經(jīng)發(fā)布，便立刻在全球網(wǎng)絡(luò)上引發(fā)了巨大的熱議。
業(yè)界普遍認為，IPF RAS的想法太過天真，這是一個無法完成的任務(wù)，要想在6年內(nèi)僅憑自己的力量研發(fā)出可以媲美ASML十年積淀的光刻技術(shù)，實在是有點難以令人相信！
另外，從各大媒體的表態(tài)來看，似乎也更愿意相信這是IPF RAS的一種“美好愿望”，最終能否實現(xiàn)還很難講，因為光刻機領(lǐng)域需要的不僅僅是金錢與時間的投入，而晶圓廠也并非僅靠光刻機就能生產(chǎn)出芯片，還需要許多外圍設(shè)備，而俄羅斯目前并不滿足獨立生產(chǎn)這些設(shè)備的條件。
不過，也有網(wǎng)友對其表示欽佩，認為俄羅斯是公認的“戰(zhàn)斗民族”，一定會說到做到。
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