臺積電和三星的3nm都宣傳了許久，三星表示已量產，而臺積電則因為缺少客戶猶豫著該不該量產，日前業內人士指出更深層次的問題則是它們的3n工藝都未達標，這才是根本原因，3nm似乎失敗了。

臺積電在研發3nm的時候無疑是偏保守的，它延續了此前的FinFET技術，如此可以確保3nm工藝的良率，畢竟FinFET技術已經用了數代，再加上3nm的研發本來風險就高，因為越是接近1nm極限，工藝研發的難度就越大，因此臺積電選擇了更穩妥的策略。

然而臺積電的如此做法卻也導致了3nm工藝的參數表現更差，據悉當時臺積電其實已用3nm為蘋果試產A16處理器了，但是生產出來的A16處理器表現遠不如預期，而良率太低、成本太高，最終蘋果還是選擇放棄了3nm而改用5nm改良后的N4工藝。

三星則比臺積電激進，直接在3nm工藝上引入了GAAFET技術，妄圖通過更先進的技術在3nm工藝上一舉趕超臺積電，然而這卻導致三星的3nm工藝難度更大，最終三星的3nm工藝良率低到令人發指的地步，成本則高到幾乎失去經濟價值。

三星如此激進在于它此前在7nm、5nm工藝上都敗給了臺積電，試圖以3nm一舉彎道超車，然而事實證明了三星在技術積累方面確實不如臺積電，如此冒險推進，最終導致了它的3nm工藝量產面臨的問題更多。

業內人士指出臺積電和三星的3nm工藝在晶體管密度方面遠未達到預期，它們將之命名為3nm更像是營銷概念，因此有人將之稱為“偽3nm”，這個其實此前的7nm、5nm工藝都曾引發爭議，它們的7nm工藝在晶體管密度方面只是達到了Intel的10nm，但是在名字方面卻偏要將之命名為7nm，也認為它們是為了營銷。

在先進工藝研發方面失敗，其實已經不是第一次，臺積電的20nm工藝就曾未達到預期，最終20nm只是用了一代然后就被舍棄了；16nm工藝的表現更差，臺積電的16nm工藝被指甚至還不如20nm，導致16nm工藝最終只有華為和另一家企業兩個客戶，其后臺積電改良16nm工藝推出了16nmFinFET工藝才獲得業界的認可。

在16nm工藝節點上，也是臺積電和三星較量的分水嶺，當時三星沒有采用16nm的命名，而是稱之為14nmFinFET工藝，蘋果則將A9處理器同時交給了三星和臺積電代工，成為檢驗它們工藝水平的利器，最終三星以14nmFinFET工藝生產的A9處理器功耗過高，而臺積電以16nmFinFET工藝生產的A9處理器功耗更佳，最終奠定了臺積電在先進工藝方面領先的美名。

如今在3nm工藝上，臺積電和三星又展開了較量，然而從結果來看，這次兩家芯片制造企業都沒有獲益，它們的3nm工藝似乎都已經失敗了，臺積電已開始推進3nm工藝的改良版N3E，三星方面估計也得加緊改進3nm工藝。

在先進工藝的研發方面，臺積電和三星不僅面臨技術難題，如今它們還面臨著市場的壓力，由于3nm工藝的成本過高，此前除了Intel和蘋果計劃采用之外，并無其他芯片企業愿意采用，如今它們在技術上又未能達標，再加上全球芯片行業陷入衰退更看重成本，它們改良后是否會有芯片企業采用也是問題，可以說它們如今已陷入兩難。

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