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半导体,格局将变?

2022-08-31
作者:电子首席 l 陈杭
來源:是说芯语
關鍵詞: 半导体

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  2022年美國正式通過《2022年美國芯片與科學法案》,其中針對半導體領域,計劃未來五年提供合計527億美元的政府補貼,且禁止獲得補貼的企業10年內在中國或其他相關國家進行實質性擴張。

  我們認為這奠定了未來全球半導體行業發展的基調:

  ①將由供需競爭框架,轉向國家科技競賽框架;

 ?、趯⒂扇蚧蠓止?,轉向逆全球化分久必合;

  ③將由自由市場競爭,轉向國家資本主導扶持。

  我們以全球化分析框架為視角,以產業鏈分析為落腳點,將半導體全球化分為四段:

  1990-2009:美國半導體內循環(一家獨大)

  2010-2017:全球半導體外循環(全球化蜜月期)

  2018-2022:中美+中間體局部外循環(三足鼎立)

  2022-未來:中、美內循環主導模式(兩大陣營)

  1、美國國內超級內循環(一家獨大)

  2010年之前,以AMD、IBM、德州儀器、Intel、鎂光為首的半導體巨頭以IDM模式占據了全球領導地位,此時為美國國內大循環階段:

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  1)fabless:美國(博通、高通、英偉達)

2)晶圓廠/IDM:美國(AMD、IBM、德州儀器、Intel)

3)存儲廠:美國(鎂光)

4)封測廠:美國

5)設備廠:美國(應用材料、Lam Research、KLA)+歐洲(ASML)

6)材料:日本、美國

7)終端消費電子:美國(蘋果、摩托羅拉、戴爾、惠普)

  此時的美國基本上是超級內循環模式,美國在全球科技版圖占據主導地位,并可以實現內循環。

  2、美日歐韓+中國臺灣超級外循環(全球化蜜月期)

  2010 年后,AMD、IBM 相繼剝離晶圓廠獨立成格羅方德。美國在 fab 領域和 IDM(CPU、DRAM)的競爭優勢逐步向亞洲轉移,蘋果主導 的全球大分工模式開始:

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  1)fabless:美國(博通、高通、英偉達)

2)晶圓廠:韓國+中國臺灣(臺積電、三星電子)

3)存儲廠:韓國(三星、海力士)

 4)封測廠:中國臺灣(日月光)

5)設備廠:美國(應用材料、Lam Research、KLA)+歐洲(ASML) 

6)材料:日本 

7)終端消費電子:中國(華為、小米、OPPO、VIVO、聯想)

  此時各國家和地區因自身比較優勢深度參與全球化大分工,中國大陸深度參與其中,國內電子產業進入快速發展蜜月期,直至 2018 年。

  3、美、中、中間體局部外循環(三足鼎立)

  2018年后,美國開始針對華為開啟了三輪科技封鎖,全球半導體格局開始分化,形成三大循環體:

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  美國內循環:以半導體設備、EDA軟件、芯片設計為核心,號令全球晶圓廠產業鏈。

  中間循環體:獨立于中美的中間勢力,即能對美國也可以對中國大陸外循環,包括了歐洲的光刻機、日本的芯片材料、中國臺灣的晶圓廠、韓國的存儲廠。

  中國內循環:逐步開始建立自己的全套半導體內循環產業鏈,但優勢行業依舊是終端制造(手機、電腦、電視機)。

  此為過渡階段,美國開始醞釀《芯片法案》和CHIP 4聯盟,為后續逐步圍堵他國和將半導體拉入國家科技競賽做準備。

  4、CHIP 4 + 中國,局部內循環

  美國芯片法案的核心是將晶圓廠制造產能重新回流美國,并且限制相關國家地區在中國大陸投資晶圓廠,疊加美國準備推出CHIP 4 聯盟,很明顯未來半導體反全球化將持續,半導體將由供需競爭框架,轉向國家科技競賽框架。

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  會逐步形成兩大陣營:

  1)以美國為主導的半導體內循環:美國法案的核心要點是將晶圓制造回流美國,未來美國將重新補全fabless(下游設計)+晶圓廠(中游制造)+半導體設備(上游),重新開始內循環。

  2)以中國為主導的半導體內循環:晶圓代工權作為半導體承上啟下的核心,能否主導獨立自主的fab廠將成為國家間競爭的關鍵,中國大陸將會以fab廠自給自足為基礎,重塑產業鏈格局,中國晶圓廠產能的建設分為三個階段:

  外資主導:無錫海力士、西安三星、廈門聯電、南京臺積電;

  內資主導(基于美國設備為主):中芯國際、華虹半導體、合肥長鑫等;

  內資主導(基于國產設備為主):基于美國的技術封鎖,未來晶圓廠的建設將更多的基于國產設備。

  建議關注國產晶圓廠產業鏈

  半導體設備:北方華創(平臺級)、拓荊科技(PECVD)、華海清科(CMP)、中微公司(刻蝕機)、盛美上海(清洗機)、萬業企業、芯源微、芯碁微裝、長川科技、華峰測控、江豐電子(零部件)、精測電子

  半導體材料:安集科技、滬硅產業(大硅片)、立昂微(大硅片)、神工股份(硅材料)、TCL中環(大硅片)、華懋科技(光刻膠)、鼎龍股份、雅克科技、晶瑞電材、江化微、有研新材

  風險提示:(1)中美貿易沖突加劇;(2)終端需求疲軟;(3)晶圓廠擴產不及預期。


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