當前，量產的晶體管已經進入4nm尺度，3nm研發也已經凍結進入試產。
在11月于日本舉辦的線上ITF大會上，半導體行業大腦imec（比利時微電子研究中心）公布了未來十年的技術藍圖。
據悉，2025年后，晶體管微縮化進入埃米尺度（?，angstrom，1埃 ＝ 0．1納米），時間節點的規劃是，2025年A14（14?＝1．4納米）、2027年為A10（10?＝1nm）、2029年為A7（7?＝0．7納米）。
微觀晶體管結構層面，imec試圖在14?節點使用Forksheet結構（p型和n型納米片晶體管成對排列，類似于用餐的叉子），10?節點試圖采用CEFT結構，1納米（10?）以下計劃采用原子形狀的溝道，依賴Mo（鉬）、W（鎢）、X為硫、Se硒、Te（碲）等2D材料和High NA（高數值孔徑）EUV光刻機來實現。
說到High NA EUV光刻機（0．55NA），一號原型機（EXE：5000）將在2023年由ASML提供給imec的聯合實驗室，2026年量產，從而服務1nm及更先進的節點。
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