近日，高性能SiC（碳化硅）模塊企業(yè)“利普思半導體”宣布完成近億元人民幣A輪融資。本輪融資由德聯(lián)資本領(lǐng)投，沃衍資本、飛圖創(chuàng)投跟投。該輪資金將主要用于公司無錫與日本研發(fā)設備投入，以及研發(fā)投入、管理運營和市場推廣。

據(jù)官方資料披露，利普思成立于2019年，專注高性能SiC與IGBT功率模塊的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，擁有創(chuàng)新的封裝材料和封裝技術(shù)，為新能源汽車、氫能車、光伏等行業(yè)應用的控制器提供小型化、輕量化和高效化的功率模塊解決方案。目前，公司已經(jīng)申請專利26項，其中發(fā)明專利13項。

該公司使用的封裝材料以及加工技術(shù)，致力于為新能源車電驅(qū)動系統(tǒng)和逆變器的小型化、高效化和輕量化，提供完整的模塊應用解決方案。滿足高性能、高可靠性的新能源汽車及高端工業(yè)領(lǐng)域功率半導體模塊需求。

值得一提的是，今年7月，無錫利普思半導體有限公司投資建設的第三代功率半導體SiC模塊封裝線項目在無錫濱湖區(qū)開工，該項目計劃引進2條自動化程度較高的先進第三代功率半導體SiC模塊封裝生產(chǎn)線，包含全自動銀燒結(jié)機、真空焊接機、全自動端子機、測試機等進口設備。達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)模塊產(chǎn)能50萬臺的生產(chǎn)能力。