華為將又一次出手投資半導體企業，這次瞄準的是一家砷化鎵及磷化銦襯底生產商。

12月10日，云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司（以下簡稱“云南鍺業”）公告披露，公司董事會同意控股子公司云南鑫耀半導體材料有限公司（以下簡稱“鑫耀半導體”）接受哈勃科技投資有限公司（以下簡稱“哈勃科技”）以貨幣方式向其增資人民幣3000萬元，出資額折合注冊資本3000萬元，云南鍺業放棄對此次新增注冊資本的優先認繳出資權。

公告指出，作為鑫耀半導體公司股東，云南鍺業對上述增資享有在同等條件下的優先認繳出資權。鑒于哈勃科技關聯方系鑫耀半導體下游企業，引入哈勃科技有利于今后加強與下游客戶的溝通與協作，促進其產品質量的提升和推動其市場開拓工作，符合全體股東利益，云南鍺業同意放棄優先認繳出資權。

資料顯示，鑫耀半導體成立于2013年9月，注冊資本9547萬元，經營范圍包括：半導體材料銷售；貨物及技術進出口業務；半導體生產（限分公司經營）等。

云南鍺業官網介紹稱，鑫耀半導體立志于成為質量穩定產品可靠的III-V族半導體襯底生產企業，目前負責在云南國家鍺材料基地建成一條年產砷化鎵拋光晶片 30萬片4英寸（或12萬片6英寸）的單晶材料生產線以及一條年產5萬片磷化銦襯底生產線。

根據公告，哈勃科技與鑫耀半導體及現有股東等各方簽署了增資協議，哈勃科技以貨幣方式向鑫耀半導體出資3000萬元，全部增資價款均計入鑫耀半導體的注冊資本；鑫耀半導體接受哈勃科技的該等出資，并將其注冊資本從9547萬元增加到12547萬元。哈勃科技有權且無需取得其他各方同意，指定其關聯方替代哈勃科技完成本次增資。

本次增資前，鑫耀半導體的股權結構為：云南鍺業持股70%、朱蓉輝持股15.71%、權以高持股14.29%；本次增資完成后，鑫耀半導體的股權結構為：云南鍺業持股53.26%、哈勃科技持股23.91%、朱蓉輝持股11.96%、權以高持股10.87%。增資完成后，云南鍺業仍為鑫耀半導體控股股東，仍保持對鑫耀半導體的實際控制權。

來源：云南鍺業公告截圖

公告指出，鑫耀半導體是專業從事半導體材料砷化鎵及磷化銦襯底（單晶片）生產的企業，哈勃科技關聯方中有專業的半導體芯片廠商，公司本次接受哈勃科技的增資主要目的是為了加強與下游廠商的溝通與協作，有利于鑫耀半導體產品質量的提升和推動其市場開拓工作，鑫耀半導體將向哈勃科技關聯方提供砷化鎵及磷化銦襯底，并保障供應，對方則通過對相關產品的實際應用為鑫耀半導體提供技術及產品驗證上的反饋。

哈勃科技成立于2019年4月，是華為投資控股有限公司旗下全資子公司。作為華為旗下投資平臺，哈勃科技自成立以來已投資了多家半導體產業鏈企業，其中包括三家第三代半導體材料企業山東天岳、天科合達、瀚天天成。如今擬增資鑫耀半導體，哈勃科技的投資版圖上將再添一家半導體材料企業。