在“2020北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨IC World學(xué)術(shù)會(huì)議”上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧發(fā)表了《新形勢(shì)下中國(guó)芯片制造突圍的新路徑》的主題演講，其中，楊士寧講到，要在三維集成上尋找突圍之路，他指出，集成電路由二維向三維發(fā)展是必行趨勢(shì)。這可能不是一條唯一的路徑，但確是一條需要強(qiáng)烈探索的路徑。

2017年年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式推出了國(guó)產(chǎn)首個(gè)32層 3D NAND閃存，2018年8月又推出自家的獨(dú)門絕技Xtacking架構(gòu)。

據(jù)悉，傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲(chǔ)密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會(huì)占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。總結(jié)下來(lái)， Xtacking技術(shù)具有四方面優(yōu)勢(shì)：一是速度快，具有更好的性能表現(xiàn);二是工藝更結(jié)實(shí);三是成本可控，因?yàn)槊芏雀?四是具有更高的靈活性。

21ic家注意到，有了創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)加快了新產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)度，2020年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)搶先推出了128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070。

據(jù)楊士寧透露，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)已經(jīng)處于全球一流的水準(zhǔn)，下一步就是解決產(chǎn)能的問(wèn)題，值得注意的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用3年時(shí)間完成了國(guó)際大廠們6年走過(guò)的路，走出了一條中國(guó)存儲(chǔ)制造的突圍之路。