中國(guó)一站式 IP 和定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技（INNOSILICON）發(fā)布：已完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際 FinFET N+1 先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，所有 IP 全自主國(guó)產(chǎn)，功能一次測(cè)試通過。
官方介紹稱，自 2019 年始，芯動(dòng)在中芯 N+1 工藝尚待成熟的情況下，團(tuán)隊(duì)投入數(shù)千萬元設(shè)計(jì)優(yōu)化，率先完成 NTO 流片。基于 N+1 制程的首款芯片經(jīng)過數(shù)月多輪測(cè)試迭代，助力中芯國(guó)際突破 N+1 工藝良率瓶頸。
芯動(dòng)科技與全球知名代工廠已有多年國(guó)產(chǎn) IP 生態(tài)共建的合作，為大量國(guó)內(nèi)和全球客戶實(shí)現(xiàn)從成熟工藝（55nm、40nm、28nm、22nm 等）到先進(jìn)工藝（如 FinFET 14nm、12nm、7nm 等）的不斷跨越，在各先進(jìn)工藝中規(guī)模 IP 授權(quán)和定制批量生產(chǎn)高端 SOC，包括 GDDR6/Chiplet/Serdes 等先進(jìn)技術(shù)規(guī)模量產(chǎn)。
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