據外媒報道，近日，日本三菱電機公司（Mitsubishi Electric Corporation）宣布推出N系列1200V碳化硅 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），該產品功率損耗低且自接通耐受性高，還可以幫助降低功耗，實現電動汽車（EV）車載充電器、光伏電力系統等供電系統（需要轉換高壓）的小型化，產品樣品將于今年7月開始發貨。

　　（圖片來源：三菱電機）

　　三菱電機還將在大型貿易展會上展示其新款N系列1200V SiC-MOSFET，包括將于11月16日至18日在中國上海舉辦的2020 PCIM Asia（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會）上進行展示。

　　產品特點：

　　1、  降低功耗，實現供電系統的小型化

　　A、結型場效應晶體管（JFET）摻雜技術既降低了1200V SiC-MOSFET的開關損耗和導通電阻，還讓其達到行業領先的品質因數（FOM）——1,450mΩ·nC。與采用傳統的硅絕緣柵門極晶體管（Si-IGBT）相比，用于供電系統的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了約85%。

　　B、通過降低鏡面電容（在MOSFET結構中，柵極和漏極之間存在的雜散電容），與競爭對手的產品相比，1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此，可實現快速的開關操作，降低開關損耗。

　　C、由于降低了開關功率損耗，通過驅動具有更高載頻的功率半導體，得以實現冷卻系統及周邊部件（如反應器）的小型化和簡單化，從而有助于降低整個供電系統的成本的尺寸。

　　2、  有六款1200V SiC-MOSFET，包括符合AEC-Q101規格的型號，適用于各種應用

　　A、N系列1200V SiC-MOSFET產品包括符合美國汽車電子委員會AEC-Q101規格的型號，因此，該產品不僅適用于光伏系統等工業應用，也可用于電動汽車車載充電器。