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东芝面向中大电流IGBT/MOSFET推出内置保护功能的光耦

2020-03-10
來源:东芝
關鍵詞: 东芝 电流IGBT 光耦

  中國上海,2020年3月10日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦,適用于工業逆變器和光伏(PV)的功率調節系統。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1],其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品于今日起開始出貨。

圖片1.png

  TLP5231產品示意圖

  新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流IGBT和MOSFET。

  目前現有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補MOSFET緩沖器,僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流,有助于降低功耗。

  通過改變外部互補MOSFET緩沖器的大小,TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平臺來滿足系統的功率需求,從而簡化設計。

  其他功能包括:在檢測到VCE(sat)過流后使用另一個外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關斷時間”;另外,除了能通過監控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外,還有UVLO[3]檢測,將任意故障信號輸出到一次側。以上這些現有產品[2]不具備的新特性,能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設計柵極驅動電路。

應用:

  ·IGBT與功率MOSFET柵極驅動(預驅動)

  ·交流電機和直流無刷電機控制

  ·工業逆變器與不間斷電源(UPS)

  ·光伏(PV)電源調節系統

特性:

  ·內置有源時序控制的雙輸出,適用于驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩沖器。

  ·當檢測到過流時,通過使用另一個外部N溝道MOSFET實現可配置柵極軟關斷時間。

  ·當監控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時,故障信號會輸出到一次側。

主要規格:

  (除非另有說明,@Ta=-40至110℃,典型值@Ta=25℃)

圖片2.png

圖片3.png

注釋:

  [1] 柵極信號軟關斷、故障反饋功能

  [2] TLP5214、TLP5214A

  [3] UVLO:欠壓鎖定

  [4] 常見VE

  


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