威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。

　　SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低傳導(dǎo)損耗。此外，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優(yōu)化柵極電荷(Qg)，減少了與開(kāi)關(guān)相關(guān)的功率損耗。

　　與采用6x5mm封裝的相似解決方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。它們通過(guò)了100%的RG和UIS測(cè)試，符合RoHS要求且不含鹵素。

　　這款N-Channel MOSFET的應(yīng)用包括AC/DC電源中的同步整流；面向電信、服務(wù)器和醫(yī)療設(shè)備的DC/ DC轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)和次級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)；用于服務(wù)器和電信設(shè)備中電壓調(diào)節(jié)的半橋功率級(jí)和降壓-升壓轉(zhuǎn)換器；電信和服務(wù)器電源中的OR-ing功能；用于開(kāi)關(guān)電容器或開(kāi)關(guān)柜轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)；電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備中的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制；以及電池管理模塊中的電池保護(hù)和充電。