第三代半導體為近年新興的技術，主要聚焦于碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體新材料領域的突破性技術發(fā)展以及新材料器件研發(fā)。

20世紀初出現(xiàn)第三代半導體相關專利申請，大約在2000年以后，相關專利申請開始進入快速增長階段。美國早期領銜全球?qū)＠鲩L，2010年前后我國的申請量首次超過美國。美國、日本、中國、韓國、德國等國家或地區(qū)相關專利申請量增長較快。

截至2018年9月30日，第三代半導體產(chǎn)業(yè)專利總量約為8．751萬件。碳化硅、氮化鎵、其他金屬氧化物三種主要材料申請數(shù)量較為接近；其中碳化硅材料功率半導體和器件工藝較為熱門，氮化鎵材料外延生長和光電子比重較大。

從襯底技術、結構、設備等方面分涉氮化鎵器件制備的技術演進如下圖。

氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導率、耐腐蝕以及抗輻射等優(yōu)點，又與現(xiàn)有硅半導體工藝兼容性強，在降低成本方面顯示更大的潛力。