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华邦推出2Gb+2Gb MCP多芯片封装产品,支持5G终端设备

2019-06-27
關鍵詞: 华邦 芯片 5G

  2019年6月18日,全球半導體儲存解決方案領導廠商華邦電子今日宣布推出新型1.8V 2Gb NAND Flash和2Gb LPDDR4x動態隨機存取內存8.0mm x 9.5mmx 0.8mm的多芯片封裝產品 (以下簡稱MCP) 。

  新的W71NW20KK1KW產品將可靠的SLC NAND Flash以及高速、低功耗的LPDDR4x動態隨機存取內存集成在一個單一封裝中,完整提供使用于辦公室與家庭的5G終端設備相關應用所需的存儲容量。

  一般而言,行動式5G終端設備通常需要更大的內存,2Gb NAND / 2Gb DRAM的內存容量非常適合在固定式5G終端設備中運行。透過MCP封裝組合,華邦的W71NW20KK1KW使5G終端設備的制造商能用恰如其分的容量和較低的生產成本滿足系統需求。

  過往,在通往高速寬帶網絡的最后一哩路 (last mile)多數采用有線連結的方式。預期采用W71NW20KK1KW達成成本優化的新一代5G終端設備將有助于消費者加速其采用5G以替代專線銅纜或光纖xDSL。

  華邦閃存產品企劃經理黃信偉表示:「在家庭和辦公室建置固定式5G終端設備將是下一階段聯網市場的成長契機,而華邦的2Gb + 2Gb MCP是最理想的選擇。」

  「華邦是目前全球唯一一家擁有晶圓廠并同時生產NAND和LPDDR4x的MCP制造商。華邦完整掌握其所有內存部件之生產,因此即使客戶大量訂購W71NW20KK1KW MCP,也可以100%信賴華邦對供貨數量、交期、質量和服務的保證。」

  W71NW20KK1KW是一款149球BGA封裝的MCP,由2Gb SLC NAND Flash和2Gb LPDDR4x 動態隨機存取內存組成。其中的SLC NAND Flash僅需4位糾錯碼(ECC)引擎即可提供出色的耐久度和數據正確性,然而該器件2K Byte + 128 Byte的頁面容量亦能支持到8位糾錯碼 (ECC)。

  W71NW20KK1KW的NAND Flash提供具有8位總線,由64頁組成一個區塊,最快頁面加載時間為25μs,一般頁面寫入時間為250μs。

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  LPDDR4x動態隨機存取內存芯片可支持高達1866MHz的工作頻率,滿足LVSTL_11接口需求,并具有8個內部分區,可用于并行操作。它提供高達4267MT / s的數據速率,支持5G通訊所需的快速數據傳輸速率。

  

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