為實(shí)現(xiàn)更高儲(chǔ)存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲(chǔ)存的信息也越來(lái)越多。目前3D NAND 堆棧發(fā)展至 96 層，這是接下來(lái)一段時(shí)間內(nèi)的市場(chǎng)主流。

　　2018 年底，SK Hynix(SK海力士)發(fā)表 96 層堆棧快閃存儲(chǔ)器，是為 TLC 類型、單一裸晶容量 512Gb(64GB)產(chǎn)品，還特地取了個(gè)有意思的 4D NAND 名詞(本質(zhì)和 3D NAND 相仿)。SK Hynix 當(dāng)時(shí)曾預(yù)告，在 2019 年也就是今年的某個(gè)時(shí)間點(diǎn)，自家 96 層堆棧產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展將進(jìn)入另一個(gè)階段，容量會(huì)倍增至 1Tb(128GB)。

　　SK Hynix 剛實(shí)現(xiàn)了這點(diǎn)，官方宣布 96 層、1Tb 樣品已經(jīng)備妥，正?續(xù)出貨提供給予主要的控制器、固態(tài)硬盤制造商。不過(guò)首波 1Tb 樣品屬于 QLC 類型，基于 4D NAND 架構(gòu)設(shè)計(jì)具有 4 個(gè)平面(Plane)、區(qū)塊容量 64KB，這數(shù)量規(guī)劃 2 倍于典型快閃存儲(chǔ)器(2 plane、32KB 之類規(guī)格)，SK Hynix 強(qiáng)調(diào)這是確保性能的關(guān)鍵。

　　此外，SK Hynix 自己也投入 QLC 所適用控制器與韌體等開發(fā)，計(jì)劃在 2020 年推出自有品牌企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤。SK Hynix 將致力于提升儲(chǔ)存密度，除了以追上硬盤 16TB 之類容量作為目標(biāo)，更希望能夠吸引企業(yè)舍硬盤就固態(tài)硬盤。

　　采用96層QLC顆粒的第一批終端應(yīng)用產(chǎn)品應(yīng)該不會(huì)是固態(tài)硬盤，而是USB隨身碟這類對(duì)可靠度要求較低的應(yīng)用。