三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。

　　另外，三星新的V-NAND效能與64層3D NAND相當(dāng)，主要是因為其工作電壓從1.8V降低至1.2V，而且更快的數(shù)據(jù)讀寫速度，較上一代提高30%。三星新技術(shù)推出的256Gb V-NAND數(shù)據(jù)存儲速度達(dá)到1.4Gbps，相較于64層3D NAND提高40%。

　　三星Flash產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁Kye Hyun Kyung表示，三星第五代V-NAND堆疊層數(shù)在90層以上，將加快提供先進的第五代V-NAND產(chǎn)品解決方案滿足快速增長的市場。

　　三星還將推出容量高達(dá)1Tb和QLC V-NAND，將繼續(xù)推動下一代存儲解決方案的發(fā)展。三星將迅速擴大第五代V-NAND生產(chǎn)，以滿足廣泛的市場需求，因為先進的技術(shù)將推動高存儲密度在智能型手機、超級計算機、企業(yè)服務(wù)器等市場應(yīng)用。

　　除了三星，東芝和西部數(shù)據(jù)早在2017年7月就宣稱已經(jīng)成功開發(fā)出96層3D NAND和QLC技術(shù)，若采用QLC架構(gòu)單顆Die容量可以達(dá)到1Tb。2018年東芝和西部數(shù)據(jù)加碼投資Fab6工廠生產(chǎn)所需的設(shè)備，用于量產(chǎn)96層3D NAND，計劃在下半年開始量產(chǎn)。繼東芝和西部數(shù)據(jù)之后，美光和英特爾宣布量產(chǎn)64層3D NAND，由于基于QLC架構(gòu)，所以單顆Die容量可以達(dá)到1Tb，同時開始給合作伙伴送樣96層3D NAND。

　　在原廠技術(shù)快速發(fā)展下，2018年64層3D NAND已是主流技術(shù)，容量256Gb、512Gb，廣泛用于SSD產(chǎn)品中，隨著技術(shù)的進一步發(fā)展，且主控廠Marvell、慧榮、群聯(lián)等紛紛針對QLC和96層3D NAND技術(shù)進行控制芯片的調(diào)整，預(yù)計2019年96層將成為各家原廠的主流技術(shù)，且推動1Tb容量快速在市場上應(yīng)用，迎來大容量需求爆發(fā)。