在市場NAND Flash快閃存儲器供應仍有缺口，導致價格繼續維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產以增加產能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產，以補足市場供不應求的缺口。
美光指出，繼目前在新加坡擁有Fab 10N、Fab 10X兩座NAND Flash快閃存儲器工廠之后，將在當地興建第3座NAND Flash快閃存儲器工廠。新工廠的占地面積約16．5萬平方米，計劃2019年年中前后完工，2019年第4季開始投產。
不過，美光沒有公布新工廠的具體投產NAND Flash快閃存儲器類型和產能。但是，根據外界的預估，其投產的NAND Flash快閃存儲器產品類型，應該是現有64層堆疊快閃存儲器的下一代產品。
另外，美光除了宣布將在新加坡興建第3座NAND Flash快閃存儲器工廠之外，美光還表示，將在新加坡擴大當前的研發規模，這將使得當地員工總數，有望從目前的7，500人增加到1萬人以上。
除了美光在NAND Flash快閃存儲器的發展外，在DRAM方面，值得一提的是，不久之前，美光的臺中工廠也因為供氮設備出現電路問題，發生氮氣供應故障的情況，影響到部分的產品。對此，美光CEO Sanjay Mehrotra在之前的法說會也已經證實此事。
Sanjay Mehrotra表示，氮氣供應受阻事件恐將導致美光本季DRAM產出減少2％到3％。而美光已經將相關故障設備被送往美國進行維修，并于日前重新回到工廠，并且在4月份開始重新投入生產的工作。
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