華虹半導體有限公司今天宣布其第二代90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺已成功實現量產，技術實力和競爭力再度加強。

　　華虹半導體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術積累的基礎上，于90nm G2 eFlash工藝平臺實現了多方面的技術提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸，較第一代減小約25%，為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式閃存技術的最小尺寸。此外，90nm G2采用了新的Flash IP設計架構，在保證高可靠性 (即10萬次擦寫及25年數據保持能力) 的同時，提供了極小面積的低功耗Flash IP。因此，90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體芯片面積，從而在單片晶圓上擁有更多的裸芯片數量，尤其對于具有高容量eFlash的芯片產品，90nm G2 eFlash的面積優勢更為顯著。值得一提的是，90nm G2 eFlash在第一代的基礎上又縮減了一層光罩，使得制造成本更低。

　　目前，90nm G2 eFlash已實現了高良率的穩定量產，成功用于大規模生產電信卡芯片，并將為智能卡芯片、安全芯片產品以及MCU等多元化產品提供更具性價比的芯片制造技術解決方案。

　　華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：“第二代的90nm G2 eFlash工藝的成功量產，標志著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術上的又一次成功。嵌入式非易失性存儲器技術是我們的戰略重點之一，長期以來憑借著高安全性、高穩定性、高性價比以及技術先進性在業界廣受認可。作為全球領先的智能卡IC代工廠，華虹半導體將堅持深耕，不斷優化工藝，升級平臺，持續領航智能IC卡代工領域，并大力發力物聯網、新能源汽車等高增長新興市場?！?/p>

　　關于華虹半導體有限公司

　　華虹半導體（股份代號：1347.HK）是全球具領先地位的200mm純晶圓代工廠，主要專注于研發及制造專業應用的200mm晶圓半導體，尤其是嵌入式非易失性存儲器及功率器件。集團的技術組合還包括RFCMOS、模擬及混合信號、電源管理及MEMS等若干其他先進工藝技術。根據IHS的資料，按2016年銷售收入總額計算，集團是全球第二大200mm純晶圓代工廠。集團生產的半導體被應用于不同市場（包括電子消費品、通訊、計算機、工業及汽車）的各種產品中。利用自身的專有工藝及技術，集團為多元化的客戶制造其設計規格的半導體。通過位于上海的3座晶圓廠，集團目前的200mm晶圓加工能力在中國名列前茅，截至2017年9月30日合計約為每月166,000片。同時，考慮到工藝的性能、成本及制造良率，集團亦提供設計支持服務，以便對復雜的設計進行優化。

　　華虹半導體有限公司現時主要業務透過位于上海的子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司（“華虹宏力”）開展。而華虹宏力由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導體制造有限公司新設合并而成。