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高通骁龙855芯片将采用台积电7纳米工艺

2017-12-26
關鍵詞: 高通 骁龙 芯片 智能

據外媒報道,高通發布驍龍845芯片的新聞熱度還未減退,現在已有針對其后繼產品驍龍855的傳聞。驍龍845采用了三星10納米FinFET工藝,而驍龍855將采用最新的7納米工藝技術。

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日經新聞稱,鑒于驍龍835和845已由三星生產,高通將選擇臺積電代工驍龍855。臺積電還將為高通打造下一代用于智能手機和輕便敞篷車的調制解調器芯片。

高通的芯片廣泛應用于全球高端安卓智能手機,從三星到臺積電的轉變是個重磅消息。2017年,驍龍 835廣泛應用于三星蓋世S8/S8 +、谷歌Pixel 2/Pixel 2 XL、HTC U11/U11 +、一加5和LG V30等智能手機。驍龍835還將應用于一系列基于Windows 10的輕便筆記本電腦和敞篷車。據估計,隨著三星蓋世S9/S9+等產品的發布,驍龍 845將在2018年繼續保持態勢。可見,驍龍855有望在2019年占領移動市場。

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臺積電首款7納米芯片將于2018年上半年量產,而采用極紫外(EUV)技術的第二代7納米+芯片將于2019年上市。三星有望在2018年下半年推出首款7納米+EUV芯片。


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