賓夕法尼亞、MALVERN — 2017年11月27日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET? Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導通電阻為業內最低，僅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷，導通電阻還不到0.6mΩ，使柵極電荷與導通電阻乘積優值系數(FOM)也達到最低，可使各種應用提高效率和功率密度。

今天發布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK?SO-8封裝，是目前最大導通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類器件相比，SiRA20DP的典型柵極電荷更低，只有61nC，FOM為0.035Ω*nC，低32%。其他25V N溝道MOSFET的導通電阻則要高11%甚至更多。

 SiRA20DP的低導通電阻可減小傳導功率損耗，提高系統效率，實現更高的功率密度，特別適合冗余電源架構中的OR-ring功能。器件的FOM較低，可提高開關性能，如通信和服務器電源中DC/DC轉換，電池系統中的電池切換，以及5V到12V輸入電源的負載切換。

 這顆MOSFET經過了100%的RG和UIS測試，符合RoHS，無鹵素。

 SiRA20DP現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十五周。

 VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站www.vishay.com。