根源上的工藝控制加速了多重曝光技術和EUV微影的整合

　　加利福尼亞州米爾皮塔斯，2017年9月13日 - KLA-Tencor公司（納斯達克股票交易代碼：KLAC）今天針對7納米以下的邏輯和尖端內存設計節點推出了五款圖案成型控制系統，以幫助芯片制造商實現多重曝光技術和EUV光刻所需的嚴格工藝寬容度。在IC制造廠內，ATL?疊對量測系統和SpectraFilm? F1薄膜量測系統可以針對finFET、DRAM、3D NAND和其他復雜器件結構的制造提供工藝表征分析和偏移監控。Teron? 640e光罩檢測產品系列和LMS IPRO7光罩疊對位準量測系統可以協助掩模廠開發和認證EUV和先進的光學光罩。5D Analyzer? X1先進數據分析系統提供開放架構的基礎，以支持晶圓廠量身定制分析和實時工藝控制的應用。這五款新系統拓展了KLA-Tencor的多元化量測、檢測和數據分析的系統組合，從而可以從根源上對工藝變化進行識別和糾正。

　　“對于7納米和5納米設計節點，芯片制造商找到產品上疊對誤差，線寬尺寸不均勻和易失效點（hotspots）的明確起因變得越來越困難，” KLA-Tencor公司全球產品集團執行副總裁Ahmad Khan表示：“除了曝光機的校正之外，我們的客戶也在了解所有的光罩和芯片工藝步驟變化是如何影響圖案成型的。通過自由提取全制造廠范圍的量測和監測數據，IC工程師可以快速地確定并在發生工藝問題的地方直接控制。我們的系統，例如今天推出的五款系統，將為客戶提供我們最尖端的技術，讓他們的專家能夠降低由每個晶片、光罩和工藝步驟所導致的圖案成型誤差?！?/p>

　　支持7納米以下設計節點器件的五個新的圖案成型控制系統包括：

　　ATL疊對量測系統采用獨特的可調激光技術，具有1納米波長分辨率，在工藝發生變化的情況下仍然可以自動保持穩定的高精度疊對誤差測量，從而支持快速的技術提升以及生產過程中精確的晶圓處置。

　　SpectraFilm F1薄膜量測系統采用全新光學技術，對單層和多層薄膜厚度和均勻性進行高精度測量，用于監測生產中的沉積工藝，并提供帶寬數據，從而無需等到生產線終端測試就可以提早預測器件的電性能。

　　Teron 640e光罩檢測系統采用增強的光學系統、檢測器和算法功能，可以捕捉關鍵的圖案和顆粒缺陷并實現高產量檢測，協助先進的掩模廠推動EUV和光學圖案光罩的開發和認證。

　　LMS IPRO7光罩疊對位準量測系統采用新的操作模式，可以在很短的周期時間內精確測量器件內的光罩圖案放置誤差，從而為電子束掩模制版設備的校正實現了全面的光罩鑒定，并在IC制造廠減少了與光罩相關的器件疊對誤差。

　　5D Analyzer X1數據分析系統提供了一個可擴展的開放式架構，可接收來自不同的量測和工藝設備的數據，以實現對全廠范圍內工藝變化的先進分析、表征和實時控制。

　　ATL、SpectraFilm F1、Teron 640e、LMS IPRO7和5D Analyzer X1是KLA-Tencor獨特的5D圖案成型控制解決方案?的一部分，它還包括用于圖案化晶圓形貌測量，工藝實測，線寬和器件輪廓測量，光刻和圖案成型模擬，以及發現關鍵易失效點的系統。全球領先的IC制造商已經在使用ATL，SpectraFilm F1和5D Analyzer X1系統，來支持一系列圖案成型控制的應用。通過升級和新設備安裝，Teron 640e和LMS IPRO7進一步增加了KLA-Tencor在尖端掩模廠中眾多的光罩檢測和量測系統的安裝數量。為了保持IC制造所需要的高性能和高產量，ATL、SpectraFilm F1、Teron 640e、LMS IPRO7和5D Analyzer X1均由KLA-Tencor的全球綜合服務網絡提供支持。有關五款新系統的更多信息，請參見先進圖案成型控制網頁。