為了解決3D芯片堆疊時的液體冷卻問題，DARPA研究人員開發(fā)出一種使用絕緣介電質制冷劑的途徑，可望使3D芯片堆疊至任何高度，從而突破摩爾定律(Moore's Law)的微縮限制。

為了解決3D芯片堆疊時的液體冷卻問題，美國國防部先進研究計劃署(DARPA)與IBM、喬治亞理工學院(Georgia Institute of Technology；Georgia Tech)合作展開芯片內/芯片間(Intrachip/Interchip)增強冷卻(ICECool)計劃，如今已經(jīng)開發(fā)出一種使用絕緣介電質制冷劑(以取代水)的途徑。

負責打造該原型機的研究人員說，這種方法能將制冷劑泵送至整個微流體芯片通道，從而降低了冷卻超級電腦CPU的成本，并經(jīng)由在每個磊晶之間安全地泵送制冷劑，即使是最厚的3D芯片堆疊內部都能加以冷卻。

DARPA的ICECool計劃采用微流體冷卻基板、芯片或封裝的內部，期望以“嵌入式”熱管理方式克服遠端冷卻的局限（來源：DARPA）

IBM的華生研究中心(Thomas J. Watson Research Center)首席研究員Tim Chainer說：“我們的原型是一款8核心的Power7超級電腦，背面的微流體通道蝕刻用于散熱，將它與氣冷式Power7超級電腦放在一起比較。所取得的進展降低了25℃的接面溫度[44℉]、功耗更低7%，其冷卻架構也更簡潔。我們還打算使3D芯片可堆疊至任何高度，從而克服摩爾定律(Moore's Law)的微縮限制。”Chainer的團隊與蘇黎世的IBM Research研究人員共同合作，同時也獲得了Georgia Tech研究人員的支持。

傳統(tǒng)的空調冷卻方式使用冷空氣和散熱片(頂部)，經(jīng)證實不如溫水冷卻(中央)，而DARPA ICECool計劃開發(fā)的技術承諾可借由使用介電質蒸氣(底部)，進一步縮減尺寸與成本（來源：IBM）

Chainer回顧了多核心架構的轉變如何克服了幾年前處理器的5GHz速度限制。如今，接面溫度可以降低44℉，讓工程師能再次啟動時脈。Chainer說，絕緣介電質冷卻的3D芯片堆疊同樣可以克服摩爾定律的微縮限制。

冷卻具有絕緣介電質流體的3D芯片堆疊時，該絕緣介電質流體沸騰成蒸汽，并從間隔100微米距離的50微米堆疊中提取熱，使裸金屬通孔可在芯片之間運行，如同水冷卻劑一樣形成互連而不至于造成短路（來源：IBM）

他說：“我們正生活在電腦創(chuàng)新最激動人心的時刻，這是由于工程師的聰明才智克服了曾經(jīng)被認為無法逾越的摩爾定律限制。”

借由水冷系統(tǒng)，IBM得以讓資料中心無需再使用空調。但為了ICECool計劃而開發(fā)的絕緣介電質蒸汽系統(tǒng)，也不需要使用冷卻器(右上)和冷卻塔(左上)（來源：IBM）

在決定采用Honeywell的Solstice Ze R-1234ze之前，IBM評估過十幾種制冷劑，因為制冷劑在室溫下為液體，但在一般的芯片溫度(高達85℃或185℉)時蒸發(fā)，并在蒸發(fā)過程中提取熱量。由于制冷劑在室溫下會返回液態(tài)，所以不需要像傳統(tǒng)冰箱使用的壓縮機。相反地，Solstice Ze R-1234ze只需要通過銅管道線圈(類似于酒精蒸餾器或汽車散熱管)的引導，就能在穿過芯片或從芯片之間返回液體形式。

Honeywell制冷劑也是一種介電質，因此可以在芯片之間泵送，而不需要金屬元件的絕緣，包括矽穿孔(TSV)。微流體通道可以透過單個芯片執(zhí)行，涵蓋全部的3D堆疊芯片。3D芯片堆疊中非腐蝕性制冷劑的最佳使用是將CMOS芯片削薄到50微米厚，并在其間留下100微米的間隙。圍繞邊緣的中空矩形間隔物包含堆疊中的制冷劑，每一側的接頭在一側泵入液體，并在另一側移除其蒸汽。接著，蒸汽通過蒸餾器，讓制冷劑返回液體形式以便泵送回芯片堆疊中。

Chainer說：“我們期望Honeywell、3M等綠色制冷劑制造商能研究和生產(chǎn)適用于半導體產(chǎn)業(yè)的客制化配方，但是，Solstice R-1234ze是目前所能找到的最佳產(chǎn)品。”雖然IBM和Georgia Tech著重于ICECool計劃下的商用高性能電腦上，但Raytheon和波音(Boeing)等公司生產(chǎn)的解決方案可用于防御應用中冷卻雷達裝置和其他超高頻設備。DARPA的計劃在大約四年內完成了目標。如今，IBM、Raytheon和波音正從各自的研究實驗室中，將技術傳遞到制造業(yè)。這些技術預計最快將在2018年之前出現(xiàn)在商用產(chǎn)品和軍事設備中。