隨著3D NAND快閃(Flash)內存技術日益成熟，以及相關供貨商大力推廣下，工業用儲存所采用的內存規格今年將大舉轉向3D NAND方案，同時也將導入傳輸效能更好的PCIe接口，以進一步提高儲存容量密度與產品性價比。

宇瞻科技(Apacer)垂直市場應用產品處處長林志亮表示，2D微縮制程已進入瓶頸，使得內存制造商擴大采用新型3D堆棧與三層式儲存(TLC)設計架構，讓NAND Flash芯片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態硬盤開發商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優勢的新產品。

林志亮認為，在工業內存制造規格上，2017年最大改變除了將2D NAND汰換成3D NAND之外，過去在工業應用領域中，較少有AES數據加密功能的產品，預計導入AES數據加密功能的內存也將會是2017年一大重點，尤其是軍工產品。

不僅如此，PCIe接口規格導入工控儲存產品也將是2017年的亮點之一。 現階段PCIe接口主要的應用市場在云端服務器領域，因為該領域對于大容量與寬帶的需求殷切；不過，后續針對同樣要求高效能的軍工、電競市場，都是下一步將導入的重點領域。

整體而言，林志亮推測，2018年開始，將有一半以上的工業計算機(IPC)廠商開始陸續采用3D NAND，預估2017下半年會陸續做驗證動作。

林志亮分析，近兩年內存產業與過去幾年大相徑庭。 一般而言，內存市場會隨著季節性的變化，營收有高低起伏的變動，少有內存產業會連續成長超過六季，這歸因于兩項重大刺激因素所導致。 首先，在于2D NAND閃存轉向3D NAND技術輪替，使得內存產能供不應求；再者，各種終端裝置對整體內存需求量的成長，尤其是汽車產業。

林志亮談到，過去內存產業主要需求來自于手機廠商，但近年智能汽車市場的起飛，對于各式各樣傳感器、相機與內存的需求急速攀升，助長內存產能擴增。 此外，大量使用動態隨機存取內存(DRAM)與NAND Flash的PC、Ultramobile、服務器與固態硬盤等電子設備，也將帶動半導體營收的增加。