筆者從5月23日在北京舉行的02重大專項成果發布會上了解到，過去九年中，中微半導體通過先后承擔并圓滿完成65-45納米、32-22納米、22-14納米等三項等離子介質刻蝕設備產品研制和產業化的02專項任務，使我國在該項設備領域中的技術基本保持了與國際先進水平同步。

中微半導體率先開發了包括甚高頻去耦合反應離子刻蝕的等離子體源和雙反應臺的反應腔等一系列完全自主創新的設計，使之與國外同類設備相比，在產能、潔凈室面積占用和設備擁有成本等重要指標上都具有約30%的優勢。中微半導體高效、好用的介質刻蝕設備不但支持了國內制造企業從65納米到28納米技術代的發展，而且已經在國際市場上，在各個技術節點上都與世界最先進的設備廠商競爭。

目前中微半導體已經有460多個介質刻蝕反應臺在海內外27條生產線上高質穩定的生產了4000多萬片晶圓。中微半導體在臺積電的研發線上正在進行5納米的刻蝕開發和核準。

在02專項的支持下，中微半導體還開發了12英寸的電感型等離子體ICP刻蝕機，達到了刻蝕的線寬均勻性3sigma小于1納米的精確程度，已經在中芯國際北京生產線的評價中得到了很好的結果，并將在多個國際一流和生產線試運行。

中微半導體還開發了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蝕設備，產品不但占有了約50%的大陸市場，而且已經進入了臺灣、新加坡、日本和歐洲市場。特別是在國際MEMS傳感器最領先的博世（BOSCH）和意法半導體（STM）進入大生產，比美國的刻蝕設備有更好的表現。

對照專項實施之前我國幾近空白的高端半導體裝備產業，中微半導體所取得的02專項成果具有高度自主創新的內涵和不斷跨越式發展的特征。美國因此不得不承認繼續限制向中國出口高端刻蝕設備已經“達不到其目的了”，并正式聲明，從瓦森納協定的軍民兩用出口限制清單中將刻蝕設備移除。

中微半導體介質刻蝕機的開發，還帶動了國內材料產業的本土化發展，中微半導體刻蝕設備材料國產化率達到35%，已開發了20多個國內的反應器和系統主機加工等供應廠商，加工能力和質量達到了國際先進水平。

知識產權從來都是先進企業用來圍堵后發者的利器。因此，知識產權斗爭的激烈程度也是后發者是否成功的標記。

中微半導體在近八年中在全世界共申請了超過800件相關專利，其中絕大部分是發明專利，目前有一半以上已獲授權。中微半導體堅持自主創新，但在公司的產品威脅到早已瓜分完畢的既定市場時，不可避免的遭到來自競爭對手的知識產權阻擊。美國最大的兩家半導體設備公司曾先后向中微提起知識產權訴訟。中微半導體都沉著應對，據理力爭，最后的結果是中微半導體勝訴一起，另一起以“和解”結束。