全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，連同其附屬公司，統(tǒng)稱“集團(tuán)”）宣布，公司已完成第三代Super Junction（“超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)”）MOSFET（“SJNFET”）工藝平臺(tái)的第一階段研發(fā)，取得了初步成果，并計(jì)劃在2017年上半年逐步推向市場(chǎng)。

華虹半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的功率分立器件200mm代工廠，在功率器件產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)上擁有逾10年的經(jīng)驗(yàn)。公司于2010年突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級(jí)難題，推出了獨(dú)特的、富有競(jìng)爭(zhēng)力的溝槽型SJNFET工藝平臺(tái)，令華虹半導(dǎo)體成為業(yè)界首家提供超級(jí)結(jié)工藝平臺(tái)的晶圓代工公司。經(jīng)過(guò)多年的深耕發(fā)展，公司在Super Junction技術(shù)領(lǐng)域積累了豐富的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，相繼推出了第一代、第二代工藝平臺(tái)，并緊跟業(yè)界超級(jí)結(jié)產(chǎn)品的發(fā)展，持續(xù)進(jìn)行平臺(tái)的創(chuàng)新升級(jí)。

華虹半導(dǎo)體最新研發(fā)的第三代SJNFET技術(shù)平臺(tái)不僅保持了前幾代工藝流程緊湊的特點(diǎn)，而且還開(kāi)發(fā)出了溝槽柵的新型結(jié)構(gòu)，相比前兩代的平面柵結(jié)構(gòu)，可以更有效地降低結(jié)電阻，且進(jìn)一步縮小了元胞（“cell pitch”）面積。導(dǎo)通電阻與第二代工藝相比，更是下降了30%以上，以600V器件為例，單位面積導(dǎo)通電阻Rsp實(shí)測(cè)值為1.2ohm.mm2，達(dá)到業(yè)界一流水準(zhǔn)。第三代SJNFET工藝平臺(tái)將為客戶提供導(dǎo)通電阻更低、芯片面積更小、開(kāi)關(guān)速度更快和開(kāi)關(guān)損耗更低的產(chǎn)品解決方案。

功率半導(dǎo)體是開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)、新能源汽車(chē)和智能電網(wǎng)等電源系統(tǒng)的核心器件，也是降低功耗、提高效率的關(guān)鍵。在人們對(duì)高效節(jié)能越來(lái)越重視的現(xiàn)今，綠色能源技術(shù)必將得到更廣泛的應(yīng)用，功率半導(dǎo)體的需求也將持續(xù)提升。Super Junction技術(shù)憑藉更低的功耗，高度契合當(dāng)前熱門(mén)的大功率快充電源、LED照明電源需求，其在傳統(tǒng)的PC電源及云服務(wù)器電源也有優(yōu)異的表現(xiàn)。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“通過(guò)與客戶在設(shè)計(jì)優(yōu)化、系統(tǒng)解決方案及市場(chǎng)滲透方面的攜手努力，我們獨(dú)特且具競(jìng)爭(zhēng)力的超級(jí)結(jié)MOSFET平臺(tái)自量產(chǎn)以來(lái)出貨量與日俱增，累計(jì)超過(guò)200，000片晶圓。華虹半導(dǎo)體新一代SJNFET工藝平臺(tái)的推出，將進(jìn)一步鞏固公司在功率分立器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。我們將盡快實(shí)現(xiàn)第三代SJNFET工藝平臺(tái)的商用，以滿足客戶對(duì)更具競(jìng)爭(zhēng)力的高壓功率芯片產(chǎn)品解決方案的需求。”