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台积电自爆12nm工艺

2017-01-23
關鍵詞: 台积电 工艺

在先前,臺積電計劃推出一款由16nm改進而來的12nm制程工藝。而在最近臺積電高層表示確實有研究過類似的東西(12nm),但對于這一命名尚未明確。

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按照之前的報道,臺積電的12nm雖然是16nm的第四代改良版本,但比現時的16nm擁有更高的晶體管集成度,更低的功耗。目前臺積電的16nm工藝已經擁有多個版本,包括基本的FinFET、進階版FinFET Plus以及低功耗版本FinFET Compact。

臺積電的下一代工藝基于10nm,而目前已經進入初步量產階段,首批重點客戶包括蘋果A11、聯發科Helio X30、以及麒麟970。


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