有報導稱，大陸最大晶圓代工業者中芯國際（SMIC），今年先后宣布14納米制程將在2018年投產，以及2016年投資金額提升至25億美元。這兩項指標都超過了全球第3大晶圓代工業者聯電，意味中芯有機會超過聯電，成為全球第3大晶圓代工業者。

報導指出，目前在全球半導體制造工藝上，掌握10納米制程技術的臺積電是全球晶圓代工業的領先廠商。

聯電廈門廠擬引進28納米制程 目前仍卡關

格羅方德（GlobalFoundries）買下三星的14納米FinFET（鰭式場效電晶體）技術，成為第3家掌握該技術的晶圓代工廠，但該公司虧損多年，更曾傳出要賣給大陸企業，與中芯國際的競爭不明顯。

反觀與中芯競爭最直接的就是聯電，聯電早早在大陸設立和艦科技，目前在廈門已有12寸晶圓廠。

報導提到，本來聯電希望將28納米制程導入大陸，但由于聯電14納米制程在中國臺灣地區尚未量產，因此目前仍處于卡關階段。

今年中芯投資25億美元 聯電為22億美元

即使2017上半年聯電廈門廠如期采用14納米FinFET技術，廈門廠引進的也只是28納米制程，與中芯國際是同樣水準，因此競爭力不見得會比中芯更有優勢。

至于投資金額，今年聯電投資金額為22億美元，而中芯國際在上半年就已調升至25億美元，中芯投資金額首度超越聯電，加速了中芯的半導體技術進程。

報導指出，若中芯的14納米FinFET技術如愿趕在2018年投產，屆時相較聯電的競爭優勢將更明顯。

聯電廈門廠11月啟用　40納米制程良率99%

今年11月16日聯電宣布，于廈門設立的12寸合資晶圓廠聯芯集成電路（廈門）舉行揭幕典禮，且該廠打破過去紀錄，自2015年3月動工以來，僅20個月即開始量產客戶產品。

聯電指出，采用廈門廠40納米制程的通訊芯片，產品良率逾99%。