恩智浦半導體日前宣布推出MRF1.50H射頻晶體管，與采用任何技術或在任何頻率下的產品相比，都具有最強大的性能。MRF1K50H可在50V電壓下提供1.50 kW CW功率，能夠減少高功率射頻放大器中的晶體管數量，從而減小放大器尺寸并降低物料成本。MRF1K50H可在最高500 MHz頻率下工作，適用于廣泛的應用，從激光和等離子體源到粒子加速器、工業焊接機、無線電和VHF TV廣播發射機、業余無線電線性放大器。

　　與所有耐用型LDMOS晶體管相同，MRF1K50H也能在VSWR為65:1的條件下正常工作，但與前一代產品1.25-kW MRFE6VP61K25H相比，它能夠吸收的能量增加了50%。這種級別的耐用性提高了產品可靠性，使得晶體管成為用真空管的理想替代品。
　　MRF1K50H采用了標準氣腔陶瓷封裝，其阻抗與當前市場上現有的高功率晶體管兼容：只需進行微小的重新調節，便可移植到現有系統，且無需重新設計印刷電路板(PCB)。
　　恩智浦的射頻功率工業技術高級總監Pierre Piel表示：“當移植到現有PCB時，這款新型晶體管可為射頻設計者提供市場上最高的輸出功率和能量吸收。對于需要在最惡劣環境下工作的工業系統，MRF1K50H能夠提高其可靠性。”
　　使用超模壓塑料版本的晶體管MRF1K50N，您甚至能夠實現更高的可靠性，與MRF1K50H相比，該版本產品還減少了30%的熱阻。恩智浦的塑料封裝技術有助于提升射頻晶體管的性能，同時簡化放大器制造，這要歸功于更小的尺寸容差和更好的焊盤連接。
　　兩個版本的規范都包括80%的效率(在100 MHz的頻率下)、23.5 dB的增益、和135V的最小擊穿電壓。投入生產之后，晶體管將成為恩智浦產品持續供應計劃的一部分，確保至少15年的持續供應。要了解相關條款和條件并獲取可用產品列表，請查看www.nxp.com/productlongevity。
　　MRF1K50H和MRF1K50N目前抽樣，預計將于2016年7月投入生產。各種頻率的參考電路可供選擇。
　　有關定價或其他信息，請聯系您當地的恩智浦銷售辦事處或恩智浦指定經銷商。