中國，2016年5月11日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設(shè)計人員提高計算機(jī)、電信網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、消費電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機(jī)會。

　　全世界的人都在獲取、保存、分享大量的電子書、視頻、相片和音樂文件，數(shù)據(jù)使用量連續(xù)快速增長，運行云計算技術(shù)的服務(wù)器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)用戶終端設(shè)備的耗電量也隨之越來越高，人們對這些設(shè)備能耗最小化的需求越來越多。為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，意法半導(dǎo)體整合最先進(jìn)的功率晶體結(jié)構(gòu)和尺寸緊湊且高熱效率的PowerFLAT 8x8 HV封裝技術(shù)，推出世界上功率密度最好的[1]功率晶體管解決方案。

　　意法半導(dǎo)體的新系列功率晶體管產(chǎn)品包括集成快速恢復(fù)二極管、擊穿電壓650V的各種超結(jié) 功率MOSFET。包括低柵電荷量、低輸入電容、低輸入電阻、內(nèi)部二極管的快速恢復(fù)、極低的恢復(fù)電荷量(Qrr)、極短的恢復(fù)時間(Trr)和業(yè)內(nèi)最好的軟開關(guān)性能[2] 在內(nèi)的技術(shù)參數(shù)讓新產(chǎn)品領(lǐng)先于競爭對手。

　　意法半導(dǎo)體的新MDmeshTM DM2 功率MOSFET目前有多種封裝/擊穿電壓組合。