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Fairchild针对高速光伏逆变器和苛刻工业应用发布1200V SiC二极管

卓越的开关性能有助于制造商满足严苛的能效和EMI法规
2016-03-22

  美國加州圣何塞 – 2016 年 3月 22日 — 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 發布首個1200V碳化硅(SiC)二極管 —— FFSH40120ADN,納入即將推出的SiC解決方案系列。1200V二極管憑借卓越的開關性能、更高的可靠性和較低的電磁干擾(EMI),成為下一代光伏逆變器、工業電機控制器和電焊機的理想選擇,所有這些應用都不斷面臨著提高功率密度和能源效率的要求。

  Fairchild高功率工業事業部副總裁兼總經理趙進表示:“市場趨勢和日益嚴苛的行業標準共同推動了市場對高能效產品的需求,我們的新型1200V二極管經專門設計,可幫助制造商滿足這些不斷上升的能效要求,提供更好的可靠性、耐用性和成本效率。碳化硅相較于硅而言具有巨大優勢,因此我們使用這種材料制作二極管,在構建全面的碳化硅方案系列過程中,我們將會開發出更多基于SiC的半導體器件。”

  FFSH40120ADN二極管具有一流的低泄漏電流性能,在高達175°C的工作溫度下,泄漏電流量遠低于其競爭產品。1200V SiC二極管的主要優勢在于它具有超快的開關速度且無反向恢復電流,與硅器件相比,它能夠大大降低開關損耗并實現卓越的能效。更快的開關速度同時也能讓制造商減小產品電磁線圈以及相關無源組件的尺寸,從而提高組裝效率,減輕系統重量,并降低物料(BOM)成本。

  該二極管在較寬溫度范圍內穩定開關的能力是造就其優越性能的另一大因素,而能夠消除電壓過沖隱患的零恢復電壓特性同樣功不可沒。

  由于SiC的熱性能優于硅,FFSH40120ADN二極管的耐用性和可靠性要大大超過基于硅的同等二極管。SiC的擊穿電壓比硅器件高十倍,而SiC的導熱性也比硅器件高三倍。


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