聯華電子與新思科技今(22)日共同宣布，雙方拓展合作關系，于聯華電子14奈米第二個PQV測試晶片上納入新思科技DesignWare嵌入式記憶體IP與DesignWare STAR記憶體系統測試與修復解決方案。此PQV提供了更多硅資料，可讓聯華電子進一步微調其14奈米FinFET製程，以實現最佳化的功耗，效能與位面積表現。雙方已成功設計定案了第一個聯華電子14奈米FinFET製程PQV，包含了新思科技DesignWare邏輯庫與StarRC? 寄生電路抽取工具(parasitic extraction tool)，而此次PQV則繼續拓展伙伴關系。

　　新思科技IP暨原型建造行銷副總裁John Koeter指出：「新思科技與聯華電子擴展的合作關系展現了雙方共同的目標，也就是協助晶片設計公司在聯華電子製程上，將我們的DesignWare硅智財結合到其系統單晶片設計上。現已有超過45顆FinFET測試晶片設計定案(tapeout)，新思科技將持續傾全力致力于為FinFET製程提供高品質硅智財，使晶片設計公司能夠降低整合風險，并加速量產時程。」

　　聯華電子硅智財研發暨設計支援副總王國雍表示：「除了研發業界具競爭力的14奈米製程，以滿足當今最尖端晶片應用產品的需求外，聯華電子現正致力于建構相當完整的全方位支援架構，藉此加速14奈米客戶design-in的速度。繼聯華電子與新思科技于14奈米製程上成功驗證PQV后，很高興在我們最先進的製程上與新思科技優質的DesignWare硅智財繼續拓展合作。我們期待將這份伙伴關系所帶來的好處提供給雙方客戶，協助採用14奈米進行設計的客戶，能獲得功耗，效能與成本上的優勢。」

　　聯華電子14奈米FinFET制程已展現了卓越的128mb SRMA良率，預期于2015年底接受客戶設計定案(tape-out)。