日本半導體 （芯片）、液晶技術研發機構「日本半導體能源研究所（SEL、Semiconductor Energy Laboratory）」已研發出可將耗電力壓縮至現行1/10以下水準的下代芯片量產技術，且臺灣晶圓代工大廠聯電 將搶先在2016年夏天開始生產采用上述技術的CPU、存儲器產品。
報導指出，SEL舍棄現行主流的矽、改用被稱為「IGZO」的氧化物半導體的特殊結晶體，藉由形成多層電子電路 （electronic circuit）、防止電流外漏，借此達到省電的效果，除可大幅改善智能手機等電子機器的電池壽命之外，也有望促進智能手表等穿戴式裝置的普及速度。
據報導，除CPU、存儲器之外，上述新技術也可應用在傳感器、邏輯集成電路 （IC）等廣泛半導體產品上，借此可將智能手表等穿戴式裝置的電池壽命延長至現行的約10倍水準，而SLE計畫將該技術賣給全球半導體廠商、借此收取特許費。
報導并指出，今后半導體基礎材料可能將從現行主流的矽轉換成IGZO特殊結晶體，而美國英特爾（Intel）、南韓三星電子（Samsung Electronics）等全球半導體大廠也正持續關注此種技術動向。
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