全球知名半導體制造商ROHM面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
本產品實現了300A的額定電流，因此可用于工業設備用的大容量電源等更大功率的應用中。另外，與一般的IGBT模塊相比，開關損耗降低了77%，可高頻驅動，因此還非常有助于周邊元器件和冷卻系統等的小型化。
本模塊已經開始出售樣品，預計于2015年6月份開始量產出貨。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.（福岡縣），后期工序的生產基地為ROHM總部工廠（京都市）＜背景＞自從ROHM于2012年3月世界首家開始將內置的功率半導體元件全部由碳化硅組成的“全SiC”功率模塊投入量產以來，生產的1200V/120A、180A產品在工業設備等中的采用越來越廣泛。因其優異的節能效果，支持更大電流的產品陣容倍受期待，但為了最大限度地發揮SiC產品的特點---高速開關性能，需要開發能夠抑制開關時浪涌電壓影響（大電流化帶來的課題）的新封裝。
此次，ROHM通過優化芯片配置和模塊內部結構，與以往產品相比，成功地大幅降低了模塊內部電感。由此，可抑制浪涌電壓，從而實現了300A的更大電流。
今后，ROHM還會繼續開發支持更高耐壓的模塊，并使用溝槽式結構的SiC元器件，開發出更大額定電流的產品，不斷強化產品陣容。
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1. 降低開關損耗，實現高頻化
與同等額定電流的IGBT模塊相比，開關損耗降低了77％。將IGBT模塊替換為本產品有望大幅降低開關損耗，進一步實現冷卻機構的小型化。另外，通過更高頻率的開關動作，還可實現線圈和電容器等周邊元器件的小型化。通過使用SiC模塊，不僅可實現更高效率，還有助于設備的小型化。
2. 降低封裝內部電感，實現更大電流
隨著對功率模塊產品的更大額定電流的追求，開關工作時的浪涌電壓也不斷增大，因此，需要降低封裝內部的電感。本產品通過優化內置SiC元件的配置及內部格局，開發出內部電感比以往產品降低約一半的封裝。由此，成功開發出額定電流300A的產品。
?。急井a品的組成＞
搭載SiC-SBD和SiC-MOSFET的“全SiC”模塊產品?使用與標準的IGBT模塊同樣外形的封裝?搭載熱敏電阻
保證Tjmax=175℃
?。糞iC功率模塊的產品陣容＞
＜術語解說＞
電感
表示使流動的電流發生變化時因電磁感應產生的電動勢的大小的量。
熱敏電阻
對于溫度變化，電阻變化較大的電阻體。作為測量溫度的傳感器使用。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極晶體管。在柵極裝有MOSFET的雙極晶體管。
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）金屬－氧化物－半導體場效應晶體管。是FET中最被普遍使用的結構。作為開關元件使用。
SBD（Schottky Barrier Diode）
通過使金屬和半導體接觸從而形成肖特基結，利用其可獲得整流性（二極管特性）的二極管。具有“無少數載流子存儲效應、高速性能卓越”的特點。