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台积电无辜 高通骁龙810过热到底谁的错?

2015-05-06

      三星在自己的新旗艦Galaxy S6身上使用了自家最新的14nm工藝Exynos處理器,除了考慮到自身的芯片業務發展以及節省成本因素考慮之外,還有一個主要原因就是因為當年第一批由臺積電負責生產的驍龍810處理器存在發熱問題而導致三星選擇放棄與高通的合作。

  而高通當時在一系列非常罕見的公關策略后,包括LG、索尼、摩托羅拉等許多廠商也都堅持使用驍龍810處理器來對高通進行聲援。不過雖然HTC One M9后期通過系統升級的方式從一定程度上緩解了發熱的問題,但是似乎驍龍810散熱性能不太好的問題似乎一直沒有徹底解決。

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  當時,驍龍810過熱的問題責任都被推給了負責生產的臺積電,表示其采用的20nm工藝生產過程直接導致了這個問題。但是從現在來看,當時臺積電從28納米改成20納米,三星也從20納米改成14納米,兩者都使得芯片密度提高,三星芯片卻沒出問題,顯示或許不是制程工藝縮小的問題。

  另外,高通的Kyro核心開發過慢,趕不上用于驍龍810進度,只能先采權宜之計使用ARM核心,或許因此引發過熱。不僅如此,外界盛傳驍龍810的Adreno GPU由高通自行設計,可能和ARM核心兼容度不夠,也使得自己的旗艦芯片一遇壓力,就容易出現過熱的問題。

  因此,時至今日,高通是否已經解決了驍龍810的過熱問題,或許從本月29日發布的LG G4身上就可以看到結論。如果G4真的降級使用驍龍808,就證明該問題高通依然沒有很好的解決。而這對于高通來說,無疑又是一次重大的創傷。


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