最近有位半導體產業分析師針對英特爾（Intel）將在下兩個制程世代使用的技術，提出了大膽且詳細的預測；如果他的預言成真，意味著芯片龍頭英特爾又將大幅超前其他半導體同業。

　　這位分析師David Kanter在他自己的網站發表一篇分析文章（參考連結），指出英特爾將會在10納米節點采用量子阱（quantum well） FET；這種新的電晶體架構將會采用兩種新材料──以砷化銦鎵（indium gallium arsenide，InGaAs）制作n型電晶體，以應變鍺（strained germanium）制作p型電晶體。

　　若預測正確，英特爾最快在2016年可開始生產10納米制程電晶體，且功耗能比其他制程技術低200毫伏（millivolts）；Kanter預期，其他半導體制造業者 在7納米節點之前難以追上英特爾的技術，差距約是兩年。Kanter指出，英特爾可能還要花一年多的時間才會公布其10納米制程計劃，而他自認其預測有八九成的準確度。

　　英特爾曾在2009年的IEDM會議論文透露其正在開發的InGaAs制程技術

　　Kanter 的分析文章是根據對英特爾在年度IEEE國際電子元件會議（IEDM）發表的數十篇篇論文研究所得，此外還有英特爾與芯片制造相關的專利；他在接受 EETimes美國版訪問時表示：“我所看到的一切都朝這個方向發展；問題應該不在于英特爾會不會制作量子阱FET，而是他們會在10納米或7納米節點開始進行。”

　　“在電晶體通道采用復合半導體材料并非只有英特爾一家在研究，但顯然到目前為止沒有人做到像英特爾所發表的這么多；”Kanter指出：“英特爾在鍺材料方面的論文與專利很少，但該技術較廣為人知。”此外他預期英特爾會采用純鍺，不過也可能會透過先采用矽鍺 （silicon germanium）來達到該目標。

　　Kanter并表示他在發表分析文章之前，曾提供內容給英特爾看；不過該公司婉拒發表任何相關評論。

　　編譯：Judith Cheng

　　（參考原文： Intel‘s 10nm Secrets Predicted，by Rick Merritt）